MOSFET的原意是MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物.PDF

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor 金属氧 化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管）， 即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制 半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝 缘栅型中的 MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功 率 MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作 静电感应晶体管（Static Induction Transistor--SIT）。其特 点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功 率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于 GTR，但其电流 容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装 置。 2.功率 MOSFET 的结构和工作原理 功率 MOSFET 的种类：按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。按 栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就 存在导电沟道，增强型；对于 N（P）沟道器件，栅极电压大于 （小于）零时才存在导电沟道，功率 MOSFET 主要是 N 沟道增强 型。 2.1.功率 MOSFET 的结构 功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图 1 所示；其导通时只 有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电 机理与小功率 MOS 管相同，但结构上有较大区别，小功率 MOS 管 是横向导电器件，功率 MOSFET 大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET, （Vertical MOSFET）， 大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用 V 型槽实现垂直导电的 VVMOSFET和具有垂直导电双扩散 MOS 结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以 VDMOS 器件为例进行讨 论。 功率 MOSFET 为多元集成结构，如国际整流器公司 （International Rectifier）的 HEXFET 采用了六边形单元；西 门子公司（Siemens）的 SIPMOSFET 采用了正方形单元；摩托罗 拉公司（Motorola）的 TMOS 采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2.功率 MOSFET 的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与 N 漂移区之间形成的 PN 结 J 反偏，漏源极之间无电流流过。 1 导电：在栅源极间加正电压 U ，栅极是绝缘的，所以不会有 GS 栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面 P 区中的空穴推开， 而将 P 区中的少子-电子吸引到栅极下面的 P 区表面 当 U 大于 U（开启电压或阈值电压）时，栅极下 P 区表面 GS T 的电子浓度将超过空穴浓度，使 P 型半导体反型成 N 型而成为反 型层，该反型层形成 N 沟道而使 PN 结 J 消失，漏极和源极导电。 1 2.3.功率 MOSFET 的基本特性 2.3.1 静态特性 MOSFET 的转移特性和输出特性如图 2 所示。 漏极电流 I和栅源间电压 U 的关系称为 MOSFET 的转移特性， D GS I较大时，I与 U 的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导 G D D GS fs MOSFET 的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于 GTR 的截止区）；饱和区（对应于 GTR 的放大区）；非饱和