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一、半导体物理简介(基本概念）
理
(念
1.1
1.2 洞
1.3
1.4
1.5 流流
1.6 行
理 1-1
理
料度
理 1-2
理
1
(Semiconductor) 類
element semiconductors
(silicon, Si) (germanium, Ge)
compound semiconductors
IV-IV: SiC 金
III-V: GaAs GaN
GaP InAs
AlGaAs GaInP
GaInN InGaAsP
II-VI硫: CdS CdTe 硫
ZnS
理 1-3
理
見
(diamond structure) Si, Ge
(Zincblende) GaAs, ZnS
sp3
(covalence bond)
理 1-4
理
2
例
度300K 立a 數 lattice constant
5.43Å 立數量 度
立8 6
4 1 1
8 × + 6 × + 4 8
8 2
立數 8 8 5.0 × 1022 /cm 3
3 −8 3
a (5.43 × 10 cm)
量 度
立數× 量 5.0 × 1022 (/cm 3 ) × 28.9 (g/mole) 3
23 2.33 g/cm
數 6.02 × 10 (/mole)
理 1-5
理
(conduction band)(valence band)
Bonds Bands
Bonding易
p z
不 (orbitals)
1 atom
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