半导体存储器内容提要半导体存储器是存储二值信息的大规模集成.PDF

第 7 章 半导体存储器 内容提要 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，本章主要介绍了 （1）顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM ）、只读存 储器（ROM ）的工作原理。 （2 ）各种存储器的存储单元。 （3 ）半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。 （4 ）半导体存储器芯片的应用。 教学基本要求 掌握： （1）SAM、RAM 和 ROM 的功能和使用方法。 （2 ）存储器的技术指标。 （3 ）用ROM 实现组合逻辑电路。 理解 SAM、RAM 和 ROM 的工作原理。 了解： （1）动态CMOS 反相器。 （2 ）动态CMOS 移存单元。 （3 ）MOS 静态及动态存储单元。 重点与难点 本章重点： （1）SAM、RAM 和 ROM 的功能。 1 （2 ）半导体存储器使用方法（存储用量的扩展）。 （3 ）用ROM 实现组合逻辑电路。 本章难点：动态 CMOS 反相器、动态 CMOS 移存单元及 MOS 静态、 动态存储单元的工作原理。 7.1 半导体存储器及分类 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的 重要组成部分。 半导体存储器分类如下： 按制造工艺分，有双极型和 MOS 型两类。双极型存储器具有工作速 度快、功耗大、价格较高的特点。MOS 型存储器具有集成度高、功 耗小、工艺简单、价格低等特点。 按存取方式分，有顺序存取存储器 （SAM）、随机存取存储器 （RAM ） 和只读存储器（ROM ）三类。 （1）顺序存取存储器（简称 SAM）：对信息的存入（写）或取出（读） 是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出” 的特点。 （2 ）随机存取存储器（简称RAM ）：可在任何时刻随机地对任意一 个单元直接存取信息。根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将 2 随机存储器分为静态存储器 SRAM 和动态存储器 DRAM 。DRAM 存 储单元结构非常简单，它所能达到的集成度远高于 SRAM。 （3 ）只读存储器（简称ROM ）：信息被事先固化到存储器内，可以 长期保留，断电也不丢失。它在正常运行时，只能读出信息，而不能 写入。只读存储器有固定 ROM和可编程ROM两类。可编程ROM又 有一次可编程ROM （简称PROM ）、光可擦可编程ROM （简称 EPROM ）、电可擦可编程ROM （简称 EEPROM或E2PROM ）、快闪 存储器（Flash Memory ）等几种类型。 7.2 顺序存取存储器（SAM ） SAM 主要由动态移存器构成，它在不断刷新的前提下，可以存储大 量数据，但在存取数据时，必须按先进先出或先进后出的原则顺序进 行。 7.3 随机存取存储器（RAM） 在 RAM 工作时可以随时从任何一个指定地址读出数据，也可以随时 将数据写入任何一个指定的存储单元中去。它的优点是读、写方便， 使用灵活。缺点是一旦断电以后所存的数据将随之丢失，即存在数据 易失性的问题。 RAM 由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成。它能对 任意一个地址单元进行读写操作。 RAM 有 SRAM 和 DRAM 两类： 3 （1）SRAM 的存储单元为R–S 触发器，如六管 CMOS 静态存储单元， 因此不需要刷新； （2 ）DRAM 由动态存储单元（三管、单管动态存储单元）构成存储 矩阵。它是利用栅电容C或集成电容CS来暂存信号的，因此需要不断 刷新。DRAM存储单元结构非常简单，它所能达到的集成度远高于 SRAM。 7.4 只读存储器（ROM） 只读存储器属于非易失存储器，断电后存储的数据不丢失。 1. 固定（掩模）ROM 芯片在生产厂制造时就把用户需要存储的内容用电路结构固定下来， 使用时无法再改变，只能读出，不能写入。存储单元可以用二极管构 成，也可以用双极性三极管或 MOS 管构成。 2. 一