实时时钟芯片应用技术.PDF

Technical Notes RX-8035 / 4035 实时时钟模块RX-8035/4035 的电源开关电路 【序文】 通常，实时时钟必须随石英晶体振荡频率而随时更新日历数据和时间数据。为此，需要使用备用电池保护数据 以应对主电源的切断及停电。在这种电池备用电路中，主电源和电池的转换需在适当时间内进行。部分系统为 此采用了专用的电源管理LSI，而大部分系统为追求简便则采用由两只二极管构成的或门电路【图1】。 在此解说这种二极管或门电路特有的技术性课题。 【1】电池能量损耗 考虑二极管所造成的损耗时可列举出两大特性。其一是正向压降（V ）特性，另一项是反向泄漏电流（I ）特性。 F R 一般情况下所产生的VF 为0.6V 左右，当主电源为3.0V 时，通过二极管后的电压为2.4V 。这种电压下降意味着 向充电电池和双电层电容器（以下称为“电容器”）等充电的电压下降。结果有可能导致电池充电电压下降而缩短 其寿命。 由于上述原因，不少技术人员选择使用VF 较小的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管的结构特征导致其 VF 量 小，各家公司均推出了这项产品。但是，通常VF 和 IR 之间为二律背反的关系，即VF 小的二极管的IR 大。IR 的增 大将在切断主电源时引发问题。切断主电源后，泄漏电流从电池流向电压为0V 的电源。这正是被称为反向泄漏的 理由（图2 ）。而且，IR 具有温度特性，温度越高越呈现二次方增长的趋势（表1）。 由于上述背景，设计人员需要根据所开发产品的温度规格范围并考虑到VF 和IR 选择最为均衡的二极管，但实际上 很难找到所有条件均与系统要求相匹配的二极管（图2 ）。 【2 】时钟数据受损风险 在前一项中已经说明了因二极管的VF 而使CPU 和实时时钟的电源电压之间出现电位差。若CPU 在这种状态下访 问实时时钟，来自CPU 的输入电压有可能超过实时时钟的额定输入电压。超过额定数值后，一般的CMOS 工艺 半导体产品不少会出现内部寄存器位数无规则变化的现象。额定输入除了适用于输入接口以外，时钟输出的使能 输入以及CMOS 时钟输出端子的上拉对象也可能适用同样的额定输入电压，因此需要进行充分的确认。CMOS 半 导体产品的输入最大额定值一般在VDD+0.3V 以下。这时需把二极管的VF 控制在 0.3V 以内，所以必然将选择使 用肖特基势垒二极管。这就产生了前项所提到的IR 的问题（图2 ）。 Seiko Epson Corporation Technical Notes 图1：通常使用二极管或门电路的电源开关电路 电压下降 主电源3V 2.4 V  3.0 V    RTC ＣＰＵ  ←3V 电池  图2 ：切断主电源时因IR 所造成的泄漏（虛线） 主电源OFF  0.0Ｖ