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微电子工业基础光刻工艺光刻胶2涂光刻胶
88章章 光刻工艺光刻工艺
微电子工艺基础
88章章 光刻工艺光刻工艺
本章目标:
1、熟悉光刻工艺的流程
2、能够区别正胶和负胶
3、了解对准和曝光的光学方法
4、解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点
微电子工业基础
88章章 光刻工艺光刻工艺
一、概述
1、光刻的定义
2、光刻的目的
3、光刻的目标
4、光刻工艺步骤概述
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
1、光刻的定义
光刻是图形复印与腐蚀作用相结合,在晶片表面薄
膜上制备图形的精密表面工艺技术。
英文术语是Photolithography( 照相平板) ,
Photomasking (光掩模)等。
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
2、光刻的目的
光刻的目的就是:在介质薄膜(二氧化硅、氮化
硅、多晶硅等)、金属薄膜或金属合金薄膜上面
刻蚀出与掩膜版完全对 的几何图形,从而实现
选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
3、光刻的目标(教材P130最上部分)
(1)尽可能接近特征图形尺寸。
(2 )在晶 圆表面正确定位 图形(称为
Alignment或者Registration ),包括套刻准
确。
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
4、光刻工艺步骤概述(** )
光刻蚀工艺:
首先是在掩膜版上形成所需的图形;
之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表
面的每一层。(P130倒数第二段)
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
4、光刻工艺步骤概述(** )
1)图形转移的两个阶段 ① 图形转移到光刻胶层
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
一、概述一、概述
4、光刻工艺步骤概述(** )
1)图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层
微电子工业基础
4、光刻工艺步骤概述(** ) (2 )十步法
88章章 光刻工艺光刻工艺 一一、、概述概述
微电子工业基础
88章章 光刻工艺光刻工艺
二、光刻胶
1、光刻胶的组成、分类
2、光刻胶的参数
3、正负胶比较
4、电子抗蚀剂
5、X-射线抗蚀剂
微电子工业基础
88章光刻工艺章光刻工艺
二、光二、光刻胶刻胶
1、光刻胶的组成、分类
光刻时接受图像的介质称为光刻胶,以光刻胶构成的
图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀,图形就转移到晶片表
面的薄膜上了,所以也将光刻胶称为抗蚀剂。
1)光刻胶的分类
①根据曝光源和用途 A. 光学光刻胶(主要是紫外线)
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