微电子工业基础光刻工艺光刻胶2涂光刻胶.PDF

88章章 光刻工艺光刻工艺 微电子工艺基础 88章章 光刻工艺光刻工艺 本章目标： 1、熟悉光刻工艺的流程 2、能够区别正胶和负胶 3、了解对准和曝光的光学方法 4、解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点 微电子工业基础 88章章 光刻工艺光刻工艺 一、概述 1、光刻的定义 2、光刻的目的 3、光刻的目标 4、光刻工艺步骤概述 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 1、光刻的定义 光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄 膜上制备图形的精密表面工艺技术。 英文术语是Photolithography( 照相平板) ， Photomasking （光掩模）等。 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 2、光刻的目的 光刻的目的就是：在介质薄膜（二氧化硅、氮化 硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面 刻蚀出与掩膜版完全对 的几何图形，从而实现 选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 3、光刻的目标（教材P130最上部分） （1）尽可能接近特征图形尺寸。 （2 ）在晶 圆表面正确定位 图形（称为 Alignment或者Registration ），包括套刻准 确。 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 4、光刻工艺步骤概述（** ） 光刻蚀工艺: 首先是在掩膜版上形成所需的图形； 之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表 面的每一层。（P130倒数第二段） 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 4、光刻工艺步骤概述（** ） 1）图形转移的两个阶段 ① 图形转移到光刻胶层 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 一、概述一、概述 4、光刻工艺步骤概述（** ） 1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层 微电子工业基础 4、光刻工艺步骤概述（** ） （2 ）十步法 88章章 光刻工艺光刻工艺 一一、、概述概述 微电子工业基础 88章章 光刻工艺光刻工艺 二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂 微电子工业基础 88章光刻工艺章光刻工艺 二、光二、光刻胶刻胶 1、光刻胶的组成、分类 光刻时接受图像的介质称为光刻胶，以光刻胶构成的 图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就转移到晶片表 面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为抗蚀剂。 1）光刻胶的分类 ①根据曝光源和用途 A. 光学光刻胶（主要是紫外线）