射线能量的校准-Indico.PPT

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射线能量的校准-Indico

总结 采用轻核共振和非共振的(p,?)反应作10-20MeV的?射线源是可行的。特别是11B(p,?)12C反应。 需要进一步调研有关(p,?)反应的参数。 估算能量的不确定度。 确定实验方案。 感谢原子能科学院的陈永静同志的帮助。 谢谢! * * * * ?射线探测器的能量标定 石宗仁 中国原子能科学研究院 2018,3 7,在高能所的报告 * 1.引言 1.1 ?射线探测器 有机闪烁体, H,C,O的化合物 。?射线与它们主要是Compton散射。时间响应快,效率低,没有全能峰,但易制成大面积,造价低。E?=661keV的能量分辨率8-25%。 无机闪烁体。LaBr3(Ce),NaI(Tl), CsI(Tl)。效率高,有全能峰,造价高。E?=661keV的能量分辨率3-15%。 半导体。纯半导体Ge和Si,化合物半导体CdTl等。效率中等,有全能峰,造价高。 Ge和Si 需低温运行。 由于Si的原子序数低14,用于几百keV以下的x-射线探测。 根据效率,能量、时间和位置分辨率,粒子鉴别本领和固有的放射性杂质等要求选取探测器。 * 探测器的响应函数 一个单能?射线在探测器内的能量沉积谱用总计数归一称响应函数,即归一的信号输出的脉冲幅度谱。 在探测器中,?射线与探测介质的相互作用、次级电子和电子-空穴对等的行为决定了响应函数,它是连续的。 采用MC程序Geant4模拟响应函数。 响应函数中的单色部分称峰形函数。 建立响应函数和峰形函数与?射线能量的关系,分别用于解连续的和分立的?射线能谱。 响应函数的单色化技术:反康、对谱仪和两者的复合。 * 解谱 从测量的脉冲幅度谱求出?射线能谱称为解谱。关键是解重峰。 目的是确定峰位和峰面积。然后利用标定的能量和效率曲线,导出γ射线的能量及其强度。 实验上测量的脉冲谱P(E)可写成如下的积分式 P(E)=∫f(Eγ) R(E-Eγ)dEγ+B,B= ? iaiEi. 其中:E表示脉冲幅度或道数;R(E-Eγ)是实验测定或MC计算的响应函数;f(Eγ)是入射到探测器的γ射线能谱;B是本底。 当γ射线能谱是分立的,解谱相对简单。 经数据光滑,寻峰,高斯峰形拟合等步骤。 一般,能量的不确定度?keV, 强度为百分之几--几十。 * 1.2 HPGe探测器 n-型Ge几keV以上,抗辐照及损伤可恢复. p-型Ge几十keV以上,有较好的能量分辨率. 在几何上,常用单开端同轴和平面两种HPGe。 单开端同轴可认为由平面和真同轴两部分组成. 还有井型、外电极分割和点接触等类型的HPGe探测器. * HPGe探测器的性能指标 能量分辨率?2keV。噪声?1.4keV,电子-空穴对的统计?1.5keV。 时间分辨率?5ns。与能量范围有关。 位置分辨率。普通的HPGe没有位置分辨本领。 峰/康比?60。 相对效率是60Co源离探测器表面25cm时相对3”?3” NaI(Tl)的效率。最大相对效率达200%。 效率?正比于体积。 HPGe是电离室,它的信号脉冲上升时间, ?200ns,与e-h产生位置有关。中等速度的探测器。 HPGe探测器的性能指标是用60Co放射源的E?=1.33MeV测量的。 有机和无机闪烁体的性能指标是用137Cs放射源的E?=0.661MeV测量的。 * HPGe的峰形函数 峰形函数由高斯分布G、低能指数尾T和平台erfc等三部分组成. 图是Helmer等人的拟合函数。G+2T+erfc. T和erfc来自电荷收集不完全,如陷阱、表面道效应、电子的边界逃逸,及光电和对效应产生电子的韧致辐射光的逃逸、多次Compton散射及弹道亏损等。 为获得准确的重峰的峰位和面积采用三部分函数,但计算时间长。 一般,采用G确定它们。 * HPGe对高能?射线的响应 一般,放射性源的?射线能量3MeV,称低能源。 3MeV称高能?射线,它们主要来自核反应。 高能?射线与探测介质产生e+e-对效应显著。响应函数中有全能、单逃逸和双逃逸三个单色峰,都可用于测定?射线能量。 由于逃逸现象,在10-20MeV响应函数可能更复杂。 * * 2.能量标定 如下步骤: 选取标准?射线源, 实验测量, 解谱得到标准?射线的峰位,即测量的能量, 对测量的?射线能量做修正, 建立?射线能量与测量能量的关系曲线, 评估?射线能量的不确定度。 2.1 选择标准?射线源 由多个实验测量,经评价和推荐的数据称标准。分初级和次级标准。 放射性同位素标准源.能量范围E?3MeV, 能量不确定度? ? 10eV。 E?3MeV的标准?射线源容易得到。 E?3MeV的有两个。56Co(486.5-3611.7keV,T1/2=77.3d,56Fe(p,n)56Co)和66Ga(833.6-4807.0

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