南华大学黄智伟 开关稳压器MOSFET发热.pdfVIP

南华大学黄智伟 开关稳压器的MOSFET 发热？ 在2007 年的“开关稳压器赛题”中： DC-DC 电路可以采用Boost升压（斩波）电路。开关的开通和关断受外部PWM信号控制， 电感L将交替地存储和释放能量，电感L储能后使电压泵升，而电容C可将输出电压保持平稳， 输出电压与输入电压的关系为U ＝U （t ＋t ）/ t ，通过改变PWM控制信号的占空比可 O 1 on off off 以相应实现输出电压的变化。该电路采取直接直流变流的方式实现升压，电路结构较为简单， 损耗较小，效率较高。为降低开关损耗，工作频率不宜过高，开关频率选定为20 kHz左右。 功率场效应管开关损耗小、工作频率较高，选取功率场效应管作为Boost斩波电路中开关管。 由于流过电感L 的电流有很大的直流分量，为了防止电感饱和，电感的磁芯需加气隙。考虑 系统总功率大于120 W，需要选择大容量的磁芯（如EE42 型磁芯）和较大截面积的导线。 采用MOSFET 的Boost升压电路，MOSFET可以采用IRF1405 、IRF3205等。当MOS管导 通时，电流流过MOS管，肖特基二极管承受反向电压；当MOS管关断时电流流过肖特基二 极管，MOS管承受正向电压。参数选择时应留出比最大值高1倍的余量， 选择MOS管（肖 特基二极管）的I （I ）≥16A,U (U ) ≥72V 。IRF1405 的工作电压V 为55V，R Dmax O (BR)DSS RRM DSS DS(on) 为5.3mΩ，ID 为169A，功率为330 W，采用TO-220AB封装，注意一定要加散热器。 通常采用专用的驱动芯片驱动Boost 升压（斩波）电路的MOSFET 。驱动器芯片可以选 择IR2302 、IR2110 等。 IR2302 是一个半桥驱动器，栅极驱动电源电压为5 ~ 20V，输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 和 15V，内部死区时间为540ns，桥路工作电压可以达到+600V ，采用8 引脚 SOIC 封装。 电路中电容器的容量为0.1µF 。 IR2110是一个高/低端驱动器，栅极驱动电源电压为10～20V ，输入逻辑电平兼容3.3V 和 3.3 ~20V任意电压，输出电流I 为±2A ，输出电压V 为10~20V，延时匹配时间为10ns，桥 O OUT 路工作电压可以达到+600V ，采用采用14引脚 PDIP或者16引脚SOIC封装。电路中电容器的 容量为0.1µF 。IR2110 的输入为微控制器（单片机、FPGA ）输出的PWM信号，其输出信号 直接驱动开关管。 更多的内容可以参考： 1. “黄智伟.全国大学生电子设计竞赛“十二五规划”教材 全国大学生电子设计竞赛系 统设计[M].北京：北京航空航天大学出版社，2011 ” 2. “全国大学生电子设计竞赛组委会. 全国大学生电子设计竞赛获奖作品选编（2007 ） [M].北京：北京理工大学出版社，2009 ” 1. Boost 升压（斩波）电路设计 Boost升压（斩波）电路拓扑结构如图1 所示。开关的开通和关断受外部PWM信号控制， 电感L将交替地存储和释放能量，电感L储能后使电压泵升，而电容C可将输出电压保持平稳， 输出电压与输入电压的关系为U ＝U （t ＋t ）/ t ，通过改变PWM控制信号的占空比可 O 1 on off off 以相应实现输出电压的变化。该电路采取直接直流变流的方式实现升压，电路结构较为简单， 损耗较小，效率较高。为降低开关损耗，工作频率不宜过高，开关频率选定为20 kHz左右。 功率场效应管开关损耗小、工作频率较高，选取功率场效应管作为Boost斩波电路中开关管。 由于流过电感L 的电流有很大的直流分量，为了防止电感饱和，电感的磁芯需加气隙。考虑 系统总功率大于120 W，需要选择大容量的磁芯（如EE42 型磁芯）和较大截面积的导线。 图1 Boost 升压（斩波）电路拓扑结构 2. 采用MOSFET 的Boost 升