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TPO414 中文资料 1：三端 DC-DC 脉宽调制开关。 2：产品亮点。 分离转换开关的低成本替代品。只有较少的15 个元件，降低成本，提高可靠性。 允许12 毫米以下更小更轻的所有表面装载元件解决方案。 3 ：在反击式拓扑中有80%的能效。 内置的启动和电流限制，减少DC 电流损耗。 低电容的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） CMOS （互补金属氧化物半导体）控制器/ 门驱动器的消耗只有7Mw. 70%的最大占空比最大限度的降低了传导损耗。 4 ：简化设计，缩短上市时间 集成的脉宽调制控制器和大功率的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） 只需要一个 补偿电容。 旁路和启动/ 自动重启的功能。 5 ：系统电平错误保护特征 自动重启和逐周期电流限制 （逐周期电流感测）即时性电流限制功能。 处理初级和次级的错误。 在线的片锁热关断保护整个系统，预防过载。 6 ：高度灵活，多功能 实现降压，升压，反激式和正激式拓扑。 轻松接口，同时包含OPTO 和初级反馈。 支持连续和不连续的运作模式。 指定用于DC16V 以下输入。 7 ：说明 TOPS 开关系列，实现只有3 个终端，为所有DC-DC 所必须的功能：高电压N 沟道功率MOSFET （金属氧化物半导体 场效应晶体管），包含受控的启动门驱动，电压模式的脉宽调节控制器有内部集成的120KHZ 的震荡器。高电压启动 偏置电路，能隙带派生参考，并联分流稳压器，误差放大器电路是为环路补偿和错误保护的，相比分离的 MOSFET 和控制器或字激的开关转换器解决方案，TOPS 开关集成电路能降低总成本，元件的数量，尺寸，和重量，同时提 高效率和系统可靠性，这个器件非常适合电信，电报，和其他DC-DC 的高达21W 的输出功率。 在内部，SMD-8 的引线框架，使用6 个引脚将热量从芯片传递到电路板上，减少了散热片的成本。 8 ：典型应用 9 ：输出能力： 10：引脚功能描述。 漏极引脚：输出MOSFET 的漏极连接，在 启动运行时候，通过内部开关式的高压电流源。 提供内部的偏置电流。内部 电流识别点。 控制引脚：误差放大器和反馈电流占空比控制的 输入引脚。内部并联调压器相连接，用来提供 正常工作期间的内部偏置电流。触发锁存关断 输入。也被用来作为供给电源旁路和自动重启/ 补偿电容的连接点。 源引脚：输出MOSFET 的源极连接，初级电路 的共点，电源回路和参考点。 11：功能描述 TOPS 开关是自偏置和自我线性保护控制电流占 空因数变频器，开漏极输出。通过使用CMOS 和 集成最大数量的功能可能，达到了高效能。与双极性和离散的方案相比，CMOS 显著的降低了偏置电流，集成淘汰 了作为电流感应和/或者供给内部初始启动偏置电流的外部电源电阻。 在正常的工作期间，通过增加C 脚的电流，内部输出MOSFET 占空因数线性地减少，如图4 ： 为了实现所有的要求控制，偏置，和保护功能，D 漏极引脚和C 控制引脚每个都执行者几个功能，参考图2 的框图 图解，和图6 所示的TOPS 开关的内部集成电路的时间和电压波形。 控制电压供给 C 脚电压VC 是供给电压和为驱动器和控制器电路提供的偏置电压。为了供给栅极G 驱动电流，需要一个外部的旁 路电容接近的连接在C 脚和S 脚之间，连接在C 脚的电容总数量也设置自动重启时间和控制环路补偿。VC 电压在 两种运行模式的任何一种模式都被调节。滞后调节用于在初始启动和过载操作中。分流调节用于区分开控制电路的 源电流中占空因数中的错误信号。在启动时候，VC 电压由内部连接在 D 脚和C 脚的高压开关电流源供给。这个电 流源提供足够的电流给控制电路和给外部总电容充电。 12：功能描述续。 VC 第一次达到高限时候，高压电流源关闭，PWM 脉宽调制调节器和输出晶体管被激活，如图5 所示。在正常工作 时间（当输出电压被调节）反馈控制电流供给VC 供电。分流调节器用PWM 错误信号感应电阻RE，通过分流C 脚 的超过要求的DC 电流的反馈电流，保持VC 在典型的5.7V 。当用在初级反馈结构，这个引脚的低动态阻抗ZC 设置 误差放大器的增益。C 脚的动态阻抗和外部的阻抗和电容决定电源系统的控制环的补偿。 如果C 脚的外部总电容必须放电到低限，输出MOSFET 被关闭，并且控制电路被设定到低电流旁路模式。高压电流 源被开启，并且重新给外部电容充电。充电电流在图6 中表示负极性，放电电流表示为正极性。滞后的自动重启比 较器