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新能源材料;新能源概论 太阳能中新材料的运用 氢能中新材料的运用 新型高性能电池;一、新能源概论;2.1太阳能简介 太阳能利用途径：①热利用②光利用 太阳能优点：①取之不竭②分布广阔③对环境无污染 太阳能缺点：①强度弱②不连续性③不稳定性 ;2、太阳能电池（晶体硅电池为主）技术发展 ①背表面场（BSF）电池：在电池背面接触区引入同型重掺杂区，使电池开路电压、短路电流和填充因子得到改进（斯坦福大学） ②紫光电池：起先为通讯卫星开发，结浅、密栅、减反射而获得高效率 ③表面织构化电池（绒面电池）：起先也为通讯卫星开发，电池效率大于18% ④异质结太阳能电池：不同半导体材料形成太阳能电池，SnO2/Si，In2O3/Si，ITO/Si。SnO2，In2O3，ITO（ SnO2+In2O3）带隙宽、透光性好、制作工艺简单，但效率不高，多用作薄膜电池的收集电流和窗口材料;⑤MIS电池：肖特基（MS）电池改型，在金属（M）和半导体之间加入15?~30?绝缘层（I），使MS电池由多数载流子支配暗电流变成少数载流子隧穿支配暗电流，I层减少表面复合作用，工艺简单，反型层的薄层电阻太高 ⑥MINP电池：MIS电池和pn结结合，氧化层对表面和晶界复合起抑制作用，发展成高效电池 ⑦聚光电池：聚光电池的特点电池面积小且开路电压在高光光强下升高 硅电池技术发展：表面钝化技术、倒金字塔技术、双层减反射膜技术、陷光理论 新南威尔士大学钝化发射区和背面局域化电池 日本Sanyo公司HIT电池; ;3、单晶硅太阳能电池 ①高纯单晶硅棒（纯度99.999%），地面用的太阳能电池采用太阳能级单晶硅棒，材料性能指标放宽，成本降低 ②硅锭的投炉料（半导体工业次品硅及单晶硅的头尾料）经单晶炉的复拉，生产出太阳能级单晶硅 ③单晶硅的制备工艺; 生长单晶硅的方法直拉法和悬浮区熔法 直拉法（CZ）：直拉单晶炉内，控制热场，从装有熔硅的坩埚中，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，单晶按籽晶晶向长大。石英坩埚不可避免引入氧，氧沉淀物是复合中心，降低材料寿命。此法可生长出直径为12英寸及以上的单晶硅，直径6英寸的单晶硅太阳能电池已工业化生产。 悬浮区熔法（FZ）：将区熔提纯和制备单晶结合在一起，可生长出高纯无缺陷单晶。但采用内圆切割法可将单晶锭切成硅片，50%硅材料损耗，多线切割工艺，损耗降低至30%，降低成本;④单晶硅电池的单体片的制备;4、多晶硅太阳能电池 ①优点：⑴直接制出方型硅锭⑵设备简单，工业化规模生产⑶省材质⑷电耗小⑸较低纯度投炉料 ②缺点：效率比单晶硅太阳能电池低 ③铸锭工艺有⑴定向凝固法⑵浇铸法 多晶硅在生长过程中会产生位错。位错的悬挂键，电活性大，是少数载流子复合中心。且金属杂质、氧、碳等也在位错上聚集，亦会形成复合中心，电学性能不均匀，位错会降低少数载流子的寿命。 浇铸多晶硅缺点⑴有晶界⑵高密度位错⑶微缺陷——〉光电转换效率低;④多晶硅太阳能电池特殊处理 目的：降低晶界对光生载流子复合作用 ⑴铝磷吸杂：在多晶硅表面沉积磷或铝层，或用三氯氧磷液态源高温高浓度预扩散，在表面产生预缺陷，高温下杂质可能在高缺陷区富集，再将该层去掉即可去除杂质。氧、碳含量高效果不好 ⑵氢气钝化：实验室中450℃气氛（20%氢气+80%氮气）钝化处理，降低晶界两侧的界面态。离子体化学气相沉积法制备氮化硅（多晶硅太阳能电池减反射膜）的过程中，等离子态的氢对多晶硅晶界起氢钝化作用。 ⑶建立界面场：n型区晶界重掺杂磷，磷向晶界两侧扩散形成n+-n界面结构，同样p型区重掺杂铝，形成p+-p界面结构，这两结构在相应边界产生界面场;5、其它晶体硅太阳能电池 ①多晶硅薄膜电池：将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，用相对薄的晶体硅层做太阳能电池的激活层，既保持晶体硅太阳能电池高性能和高稳定性，材料用量大降，降低电池成本 衬底材料：玻璃、陶瓷、低品质硅 ②带状硅薄膜电池：无需切片，材料浪费少 ③多孔硅太阳能电池（表面化学腐蚀、电化学腐蚀） ⑴多孔硅高绒面表面形貌增强光的捕获 ⑵带隙可以根据对阳光的最佳吸收调整（宽化） ⑶荧光效应可将紫外光和蓝光转变成波长更长的光，硅电池对这些光有更好的量子效应 ⑷CZ法生长硅片背面形成的多孔硅可作吸杂中心;2.4.2非晶硅太阳能电池 ①优点：⑴可见光范围内非晶硅比单晶硅有更大吸收系数⑵制作工艺简单，直接沉积出薄膜，无切片损失⑶采用多层技术，降低对材料品质的要求⑷集成技术可以一次完成组件⑸可沉积在不锈钢、塑料薄膜等衬底上（与建筑物一体化） ②缺点： ⑴