1.2-半导体二极管.pptVIP

* * * * 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 §2 半导体二极管 一、二极管的组成 * 常见二极管外形 小功率 二极管 大功率 二极管 稳压 二极管 发光 二极管 常见二极管结构 * 点接触型： 结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最 高工作频率高。 面接触型： 结面积大，结电容大， 故结允许的电流大， 最高工作频率低。 平面型： 结面积可小、可大， 小的工作频率高，大 的结允许的电流大。 二、二极管的伏安特性及电流方程 * 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十μA 开启 电压 反向饱 和电流 击穿 电压 电流与其端电压的关系称为伏安特性。 限流 电阻 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑ →在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流 IS↑，U(BR) ↓ 正向特性左移，反向特性下移 增大1倍/10℃ 1. 单向导电性 * 三、二极管的等效电路 6 理想 二极管模型 带导通阈值 的理想模型 1. 将伏安特性折线化的三种模型 分段线 性模型 理想二极管模型 7 只考虑二极管的单向导 电性，忽略所有其他因素 适用于定性分析二极管电路的功能 理想二极管模型的应用 * 半波整流电路 带导通阈值的理想二极管模型 * 考虑了二极管导通时的正向压降，可以用于一般的定量估算。通常在估算时，硅二极管的正向导通电压取0.7V * * 二极管限幅电路 分段线性模型 * 大信号和小信号模型 大信号模型 用于描述器件整体的电压-电流关系，通常为非线性 上面的三种模型都是大信号模型 小信号模型 如果在静态工作点（偏置）上叠加变化的信号（交流信号），其幅度“足够小”，则可以用线性化的模型去近似描述器件，这种线性化模型就是小信号模型。 * 2. 二极管的小信号模型 Q越高，rd越小 当二极管在静态(DC)基础上有一小的动态(AC)信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻。 静态工作点Q 静态电流 * 1.7V 10mV 画出R=1k时UR的波形 四、二极管的主要参数 * 最大整流电流 IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率 fM：因PN结有电容效应 五、稳压二极管（齐纳二极管） * 工作原理：利用PN结反向击穿后二极管两端电压基本 保持不变的特点 工作状态：总是工作在反向击穿状态 稳定电压 VZ ：稳压管正常工作（电流为稳定电流 IZ）时两端的电压 稳定电流 IZ ：稳压管正常工作时的参考电流值 额定功耗 Pm ：稳压管不致损坏的最大功率消耗 动态内阻 rZ ：稳压管正常工作时的交流电阻 稳压管的主要特性参数 * 进入稳压 区的最小 电流 不至于损 坏的最大 电流 rZ =DVZ /D IZ 稳压管电路的估算 稳压管的主要参数：VZ = 6V、IZ = 10mA、IZ(min) = 5mA、IZ(max) = 30mA、rZ = 5Ω 负载电阻 RL = 600Ω，限流电阻 R = 330Ω 试估算输入电压 Vi = 12V 时流过稳压管的电流 并估算输入电压 Vi 从 12V 变化到 16V 时输出电压的变化 * * 由于 VZ = 6V，可以认为在正常工作时 Vo = 6V 所以 流过负载电阻RL的电流 流过稳压管的电流 * 根据同样算法，Vi = 16V 时流过稳压管的电流 ID ≈ 20mA 所以， DID = (20-8) = 12mA DVO =DVZ = rZ · DID = 5×12 = 60(mV) 输入电压从12V变化到16V，相对变化量是33%，而输出电压的相对变化量为1% 六. 发光二极管 由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs、GaP等制成， 其多子少子复合，能量几乎全部以光的形式放出。 单向导电，流过正向电流时发光，正向电流越大，光强越强，实际使用时根据需要选择合适的工作电流。 阈值电压1.5V~3.6V不等 * LED 部分发光二极管实物图片 * * * LED 节能，高效的照明技术 * 七. 光电二极管 （Photo-Diode） 把光信号转换成电信号（与LED相反） 的光电传感器件 无光照时，类似普通二极管，单向导电 有光照时，反向区有和照度对应的光电流 四象限可以作为光电池 * * * * * * * *