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理 洞 流流 行 論 - 1 理 料度 論 -2 理 (Semiconductor) 類 element semiconductors (silicon, Si) (germanium, Ge) compound semiconductors IV-IV: SiC 金 III-V: GaAs GaN GaP InAs AlGaAs GaInP GaInN InGaAsP II-VI硫: CdS CdTe 硫 ZnS 論 -3 理 見 (diamond structure) Si, Ge (Zincblende) GaAs, ZnS sp3 (covalence bond) 論 -4 理 例 度300K 立a 數 lattice constant 5.43Å 立數量 度 立8 6 4 1 1 8 × + 6 × + 4 8 8 2 立數 8 8 − 5.0 × 1022 /cm 3 3 8 3 a (5.43 × 10 cm) 量 度 立數× 量 5.0 × 1022 (/cm 3 ) × 28.9 (g/mole) 3 23 2.33 g/cm 數 6.02 × 10 (/mole) 論 -5 理 (conduction band)(valence band) Bonds Bands Bonding易 p z 不 (orbitals)

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