典型器件和电路不同剂量率的辐射效应.PDFVIP

第 10 卷 第 4 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．10，No．4 2012 年 8 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Aug．，2012 文章编号： 1672-2892(2012)04-0484-06 典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 陆 妩 1,2 ，任迪远 1,2 ，郑玉展 1,2 ，王义元 1,2 ，郭 旗 1,2 ，余学峰 1,2 ，何承发 1,2 (1. 中国科学院 新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011 ；2.新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆 乌鲁木齐 830011) 摘 要 ：对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进 行了研究。对双极器件和电路及 JFET 输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分 析。结果显示，器件类型不同，失效模式也相异。其典型的失效模式表现为 4 种：a) 仅有低剂量率辐 照损伤增强效应；b) 既有低剂量率辐照损伤增强效应，又有时间相关效应；c) 仅有时间相关效应；d) 无 不同剂量率辐照损伤间的差异。 关键词 ： 60 双极类模拟电路；CMOS 类电路； Coγ 辐照；剂量率效应 中图分类号 ：TN431 ；TL84 文献标识码 ：A Radiation effects of the typical devices and circuits for high and low dose rate irradiations 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 LU Wu ，REN Di-yuan ，ZHENG Yu-zhan ，WANG Yi-yuan ，GUO Qi ，YU Xue-feng ，HE Cheng-fa (1.Xinjiang Technical Institute of Physics Chemistry，Chinese Academy of Sciences，Urumqi Xinjiang 830011，China； 2.Xinjiang Key Laboratory of Information Materials and Devices， Urumqi Xinjiang 830011，China) Abstract：Dozens of types of typical devices and circuits applied to satellites are investigated on their radiation effects and annealing behaviors under different dose-rate irradiation. The experimental results show that the failure modes are different with different types of devices. The typical failure modes are as follows：a) only Enhanced Low Dose Rate Sensitivity(ELDRS) is ex hibited；b) both ELDRS and Time Dep