降低功函数提高灵敏度.ppt

多孔硅及复合材料气敏性能介绍与研究现状 曾 鹏 2012.5.23 硅基多孔硅是一种在硅片表面腐蚀形成的孔径尺寸可控且具有一定孔隙率的多孔性结构材料。一般按照孔径尺寸划分为微孔多孔硅（2nm，Micro-Porous Silicon）、介孔多孔硅（2-50nm，Meso-PorousSilicon）和大孔多孔硅（50nm，Macro-Porous Silicon）。因为其具有巨大的表面体积比（200-800m2/cm3）和很高的表面化学活性而成为具有高灵敏度气敏特性的新型室温气敏材料。 但是多孔硅气敏传感器存在灵敏度相对较低、反应速度偏慢、恢复特性较差的缺点，制约了其实际应用价值。 现有主要的改进方法 1、微结构优化调控 2、表面改性处理 3、复合材料 一、微结构优化调控 主要是调控孔径，提高孔隙率。 实验室成果制备介孔硅和大孔硅，测试气敏性能，显示介孔硅具有较高的气体灵敏度, 大孔硅具有较好的气体响应恢复特性。介孔硅对NO2 气体具有较好的选择性, 大孔硅对NH3 气体具有较好的选择性。 孔隙率提高，使界面态增加，提高灵敏度；孔径增大，使得气体脱附时毛细管作用降低，减小响应恢复时间。同样，使孔径有序也能使响应和恢复时间降低。 二、表面改性 1、在空气中放置成化。 在空气中放置成化后的样品对湿度的敏感度降低，对测试气体的气敏稳定性提高。 2、电化学腐蚀时加入H2O2； [2]Effects of surface passivation in porous silicon as H2 gas sensor [J]. Solid-State Electronics 52 (2008) 1071–1074. a、钝化处理过的样品具有亚微米级别的孔隙（亚微米的孔和更小的晶粒尺寸），有更大的接触面积。主要机理是，使表面键发生改变。 b、刚制备的PS表面悬挂键的浓度很高，相对较低的Si-H和Si-F键，氧化后使得Si-O-Si键占主导地位，产生更多的表面态。 三、复合材料 1、金属修饰 [1] Effect of porosity on the performance of surface modified porous silicon hydrogen sensors [J], Sensors and Actuators B 147 (2010) 145–151. 采用非电镀方法，将制备好的PS浸入PdCl2溶液中，实现Pd的淀积。 产生两种效应： 1、PdCl2溶液钝化PS表面，使稳定性增加； 2、Pd金属的形成，催化促进氢气转化为原子态，形成偶极层，降低功函数，提高灵敏度。 导电机理分析 [2]Characterization of Pd nanoparticle dispersed over porous silicon as a hydrogen sensor [J], J. Phys. D: Appl. Phys. 40(2007) 7201–7209 由于多孔硅的电阻比Pd高几个数量级，因此，电流主要经由Si和Pd之间的肖特基势垒流过。 当氢气吸附时，氢气分子在Pd表面被分解为氢原子，然后扩散进晶格。此时有三种现象发生： 1、Pd电阻降低，3和7路径； 2、氢原子在金属半导体界面形成偶极层，提高了界面势垒，Si到Pd的电流降低。2、4、6和8路径的电阻升高； 3、Pd的晶格参数会随着氢气的吸附浓度增加而增加，所以如果当Pd晶粒间距很小的时候，氢气浓度增加使得Pd粒子之间可能会连接到一起，4、5、6路径可以被忽略，电流上升。 2、金属氧化物复合 [3] Pd sensitized porous silicon hydrogen sensor—Influence of ZnO thin film [J], Sensors and Actuators B 147 (2010) 128–136. (a)[S-1]Pd–Ag/ZnO/PS/Si/Al, (b)[S-2]Pd–Ag/ZnO/Pd:PS/Si/Al, (c)[S-3]Pd–Ag/Pd:ZnO/PS/Si/Al (d)[S-4]Pd-Ag/Pd:ZnO/Pd:PS/Si/Al the four samples the transient response characteristics with 1% hydrogen in nitrogen for three repeated cycles the transient response for the sensors at different concentrations of hydrogen (0.01%, 0.05%, 0.1%, 0.5% and 1%) and at the