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SVF12N65T/F/FG/K/S 说明书 12A 、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 ∗ 12A ，650V，R =0.64Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管 SVF12N65F TO-220F-3L