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- 2018-04-06 发布于江苏
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SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
5A、600V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
1
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 TO-252-2L
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极
器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
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