10LED电学特性-程立文.pptVIP

LED的电学特性 内容 一、LED的电流-电压特性图 二、LED的电学指标 三、LED的极限参数 四、LED的其它电学参数 五、电参数测量仪 LED的伏-安（I-V）特性 （1） LED的伏-安（I-V）特性是流过芯片PN结电流随施加到PN结两端上电压变化的特性，它是衡量PN结性能的主要参数，是PN结制作优劣的重要标志。 （2）LED具有单向导电性和非线性特性。 一、LED的电流-电压特性图 LED与一般二极管输入伏安特性曲线相似 1、OA段：正向死区 VA（Uon）为LED发光的开启电压。 红色（黄色）LED的开启电压一般为2~2.5V 绿色（蓝色）LED的开启电压一般为3~3.5V 一、LED的电流-电压特性图 1、AB段：工作区 ?一般是随着电压增加电流也跟着增加，发光亮度也跟着增大。 特别注意，如果不加任何保护，当正向电压增加到一定值后，发光二极管的正向电压增加会减小，而正向电流增加会加大，会因电流增大而烧坏发光二极管。 一、LED的电流-电压特性图 1、OC段：反向死区 发光二极管加反向电压是不发光的，但有反向电流。这个反向电流通常很小，一般在几μA之内。 1990~1995年，为10μA 1995~2000年，为5μA 目前一般是，为3μA以下，但基本上是0μA 一、LED的电流-电压特性图 1、CD段：反向击穿区 ?发光二极管的反向电压一般不要超过10V，最大不得超过15V。超过这个电压，就会出现反向击穿，导致LED报废。 一、LED的电流-电压特性图 同一品牌和不同品牌LED伏安特性 一、LED的电流-电压特性图 不同温度下的LED伏安特性 一、LED的电流-电压特性图 二、LED的电学指标 1、正向电压 VF：LED正向电流在20mA时的正向电压。 2、正向电流 IF：对于小功率LED，目前全世界一致定为20mA，这是小功率LED的正常工作电流。但目前出现了大功率LED的芯片，所以IF就要根据芯片的规格来确定正向工作电流 二、LED的电学指标 3、反向漏电流IR：按LED以前的常规规定，指反向电压在5V时的反向漏电流。如上面所说，随着发光二极管性能的提高，反向漏电流会越来越小，但大功率LED芯片尚未明确规定。 4、工作时的耗散功率PD：即正向电流乘以正向电压。 5、开启电压UON B C O 开启电压：电压在开启点以前几乎没有电流，电压一超过开启点，很快就显出欧姆导通特性，电流随电压增加迅速增大，开始发光。开启点电压因半导体材料的不同而异。GaAs是1.0V，GaAs1-xPx，Ga1-xAlxAs大致是1.5V（实际值因x值的不同而有些差异），GaP（红色）是1.8V，GaP（绿色）是2.0V，GaN 为2.5V 。 正向工作电流IF：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。小功率彩色LED一般是在IF=20mA时测得的，正向工作电压VF在1.5～2.8V。功率级LED一般在IF=350mA时测得的，正向工作电压VF在2～4V。在外界温度升高时，VF将下降。 最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。反向击穿电压也因材料而异，一般在-2V以上即可。 反向漏电：当加反向电压时，外加电场与内建势垒电场方向相同，便阻止了多数载流子的扩散运动，所以只有很小的反向电流流过管子。但是，当反向电压加大到一定程度时，结在内外电场的作用下，把晶格中的电子强拉出来，参与导电，因而此时反向电流突然增大，出现反向击穿现象。正向的发光管反向漏电流通常在IR10μA以下，反向漏电流IR， （V= -5V） GaP 为0，GaN 为10uA。反向电流越小，说明LED的单向导电性能越好。 三、LED的极限参数 1、最大允许工作电流IFM：由最大允许耗散功率来确定。最好在使用时不要用到最大工作电流。要根据散热条件来确定，一般只用到最大电流IFM的60%为好。 2、最大允许正向脉冲电流IFP：一般是由占空比与脉冲重复频率来确定。LED工作于脉冲状态时，可通过调节脉宽来实现亮度调节，例如LED显示屏就是利用这个手段来调节亮度的。 三、LED的极限参数 3、反向击穿电压VR：一般要求反向电流为反向电压VR指定值的情况下测试，反向电流一般为5~100μA之间。反向击穿电压通常不能超过20V。 4、最大允许耗散功率Pmax=IFH×VFH：一般按环境温度为25℃时的额定功率。当环境温度升高，则LED的最大允许耗散功率将会下降。 四、LED的其它电学参数 在高频电路中使用LED时 1、结电容Cj 2、响应时间：上升时间tr，下降时间t f。 点亮时间比白炽灯快0.7~1