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迈斯纳效应 迈斯纳效应说明：超导体内的磁感应强度不仅是恒量，而且这一恒量值永远是零。 零电阻和完全抗磁性是超导态两个独立的基本性质。 所谓的零电阻（理想导电性）是针对直流而言的。在交流电的情况下，超导体不再具有完全导电性而出现交流损耗。 BCS理论 BCS理论在解释超导电性方面获得了很大成功。如可以解释同位素效应、迈斯纳效应，在极限条件下还可推导出Pippard方程和Ginzburg-Landau方程。 局限性：属于弱耦合理论；不适应于第二类超导体。 低温超导材料 常压下，超导临界温度Tc最高的单质元素是Nb。 按照磁场中的磁化行为，可将超导体分为两类： ① 第一类超导材料 ② 第二类超导材料 高温超导材料发展现状 新的高Tc材料：目前最高Tc值的超导材料为高压下164K的HgBaCaCuO体系。 超导材料应用基础研究： 高温超导薄膜及其应用： 高温超导体全部是由多种元素组成的氧化物。 高温超导材料的结构特征 钙钛矿型结构： 一般而言，高温超导体都具有层状的钙钛矿型结构。 ABO3型钙钛矿结构具有下述特点： ① 组分可通过部分替代而在很宽的范围内变化。 ② 或多或少的存在着氧缺位和A晶位阳离子的缺位。 第五章：半导体材料 ① 半导体材料的一般性能 ② 锗、硅半导体材料 ③ 太阳能电池 ④ 化合物半导体材料 ⑤ 半导体材料的应用 半导体材料的一般性能 半导体材料的能带特征： 价带、导带、空带、禁带 半导体中电子填充能带遵循的基本原理： 泡利不相容原理（ Pauli’s exclusion principle ）； 能量最小原理 半导体中的电子与空穴 ~ 载流子 半导体材料的一般性能 半导体载流子的主要来源：本征激发和杂质电离 本征半导体：完全纯净、缺陷极少的半导体，其载流子由热激活产生。 杂质半导体： N型半导体 --- 施主杂质半导体； P 型半导体 --- 受主杂质半导体。 P-N结：基本电学特性是单向导电性。 半导体材料的一般性能 半导体的光电性质： 半导体中，电子吸收光子能量后的跃迁形式主要有哪些？ 本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收、晶格振动吸收。 光伏效应及其实际应用 半导体的磁学性质：霍尔效应 第一章：电子材料概论 材料按化学组成和结合键可分为金属材料、无机非金属材料、高分子材料和复合材料四类。 金属材料：常温下一般为固态晶体，有较好的强度、塑性和延展性，熔点高、导电导热、有特殊光泽。贵金属：金、银、铑、钌、钯、锇、铱、铂。 高分子材料：聚合物的相对分子质量在103~106范围内。 材料按结晶状态可分为晶体、非晶体和液晶。 非晶态结构的主要类型： 连续无规网络：常用于玻璃、非晶硅等材料的结构模型。 无规密堆积：主要用于金属玻璃的结构。 无规线团模型：主要用于非晶高分子聚合物。 第一章：电子材料概论 液晶： 是一种有机化合物。在一定的外部环境下既具有液体的流动性，又具有晶体的各向异性。处于液晶态的物质，分子排列总的来说是长程有序，但分子位置是不固定的（流动性）。 按照结构和光学特性，液晶可分为四类： 近晶相液晶 向列相液晶 碟型液晶 胆甾相液晶 电子材料常用微观分析方法 化学成分分析：原子发射光谱(AES)、X射线荧光和电子探针。 化学成分分析的常用仪器：质谱仪、能谱仪、傅立叶红外光谱仪、电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-AES）等。 电子材料常用微观分析方法 结构分析：X射线衍射法。 布拉格方程： XRD图谱可以提供的信息： 晶体结构、所含元素及其构成、晶粒尺寸、晶体择优取向程度、残余应力、位错密度等。 XRD与SAD是相互对应的。 电子材料常用微观分析方法 显微分析： 电子显微镜的成像原理 TEM（透射 ~ ） SEM（扫描 ~ ） AFM（原子力 ~ ） STM（扫描隧道 ~ ） 电子显微镜： ① 金属导电材料 ② 厚膜导电材料 ③ 薄膜导电材料 ④ 复合物导电材料 ⑤ 导电聚合物 第二章：导电材料 常温下电阻率最小的导电材料是银Ag。 随着温度的升高，金属的电阻一般增大。 电导率：电阻率的倒数。通常以国际标准软铜的电导率为100％，其它材料与之比较，以百分电导率来表示。 影响导体电阻的因素： 杂质、缺陷、温度和内应力。 导电材料 导电聚合物： 按其结构特征和导电机理分类： 电子导电型聚合物 离子导电型聚合物 氧化还原型导电聚合物 电子导电型聚合物的共同结构特征是分子内具有大的共轭电子π体系。 电子导电型聚合物： 掺杂可以减少能带分裂造成的能级差，因而可提高其电导率。 温度升高，电子导电型聚合物的电导率增大。 提高共轭链的长度，电子导电型聚合物的电导率增大。以聚乙炔为例，