战略性先进电子材料重点专项2016年项目申报.doc

“战略性先进电子材料”重点专项 2016年度项目申报指南、指南编制专家名单、 形式审查条件要求 一、“战略性先进电子材料”重点专项2016年度项目申报指南 依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要）》按照《国务院关于改进加强中央财政科研项目和资金管理的若干意见》及《国务院印发关于深化中央财政科技计划（专项、基金等）管理改革方案的通知》精神科技部会同有关部门组织开展了《国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项实施方案》编制工作在此基础上启动本专项2016年项目并发布本指南。 本专项总目标是：面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需求支撑中国制造2025、互联网+等国家重大战略目标瞄准全球技术和产业制高点抓住我国换道超车的历史性发展机遇以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点通过体制机制创新、跨界技术整合构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队培育一批具有国际竞争力的龙头企业形成各具特色的产业基地。 本专项围绕第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料等4个方向部署35个任务专项实施年限为5年即2016 ~ 2020年。按照重点突出、分步实施的原则2016年首批启动4个方向中的15个任务。对于应用示范类任务其他经费（包括地方财政经费、单位出资及社会渠道资金等）与中央财政经费比例不低于3：1对于重大共性关键技术类任务其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。针对任务中的研究内容以项目为单位进行申报。项目设1名项目负责人项目下设课题数原则上不超过5个每个课题设1名课题负责人每个课题承担单位原则上不超过5个。 1. 第三代半导体材料与半导体照明 1.1 大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律 研究内容：研究AlN/高Al组分AlGaN及其量子结构、InN/高In组分InGaN及其量子结构的外延生长动力学和缺陷调控规律、光电性质及载流子调控规律研究蓝光波段高质量量子阱的外延生长动力学发展提升内量子效率、光提取效率的新机制、新效应和新方法研究核壳结构量子阱、金属纳米结构耦合量子阱及其光电性质研究半/非极性量子结构的外延生长、缺陷控制及其光电性质。研究Si衬底和其它大失配衬底上GaN基异质结构的外延生长动力学和缺陷调控规律研究GaN基异质结构中点缺陷性质及其新型表征手段研究强电场下载流子输运性质和热电子/热声子驰豫规律研究表面/界面局域态、体缺陷态对GaN基异质结构及电子器件性能的影响机制和规律。 考核指标：AlN外延层位错密度1×107 cm2，深紫外波段量子阱发光内量子效率50%InN室温电子迁移率4000 cm2/Vs绿光波段量子阱发光内量子效率50%蓝光波段内量子效率90%非/半极性面量子阱发光内量子效率50%核壳结构量子阱Droop效应10%。Si衬底上AlGaN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率2300 cm2/VsInAlN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率2200 cm2/Vs掌握强电场下载流子输运和热电子/热声子驰豫规律掌握有效控制GaN基异质结构表面/界面局域态的方法明确影响和提升电子器件可靠性的物理机制。 预期成果：申请发明专利20项发表论文50篇。 实施年限：不超过5年 拟支持项目数：12项 1.2 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用 研究内容：研究半绝缘SiC衬底上高均匀性、高耐压、低漏电GaN基异质结构外延生长设计和研制高工作电压、高功率、高效率、高线性度GaN基微波功率器件研发低栅漏电流、低电流崩塌效应、低接触电阻GaN基器件制备工艺与提高成品率的规模制备技术及其可靠性技术研究高热导率封装基材与高频低损耗封装技术开展GaN基射频电子器件在移动通信宽带、高效率放大设备上的应用研究。 考核指标：4~6英寸半绝缘SiC衬底上GaN基异质结构漏电10 μA/mm二维电子气室温迁移率2300 cm2/Vs方块电阻300 Ω/sq研制出高性能的高效器件、宽带器件和超高频器件高效器件工作频率2.6 GHz、功率330 W、效率70%宽带器件工作频率1.8~2.2 GHz、功率330 W、效率60%超高频器件工作频率30~80 GHz、带宽5 GHz、脉冲功率10 W、效率28%研制出基于GaN射频器件的高线性度功率放大器系统和多载波聚合功放系统在移动通信基站领域实现批量应用。形成1~2件国家/行业标准。 预期成果：申请发明专利50项发表论文30篇带动行业新增产值20亿元。 实施年限：不超过4年 拟支持项目数：12项 有关说明：企业牵头申报其他经费与中央财政经费