材料 昆明理工大学工程力学试验中心.ppt

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材料 昆明理工大学工程力学试验中心

相邻两能带间的能量间隔称为禁带。晶体中的电子不可能具有禁带中的能量。 晶体中的电子在能带中按能级由低到高,每个能级最多填充自旋方向相反的两个电子规则逐一填充。各能级都被填满的能带称为满带,满带中的电子不会导电。已有一部份能级被填满,另一部份能级尚未被电子填满的能带,称为导带,导带中的电子能够导电。完全没有电子填入的能带叫做空带。 一般来说,原子内部的能级都是被电子填满的,因此由内层能级引起的能带是满带。晶体中由价电子填充的能带是价带,价带可能是满带也可能不是满带。 综合上述,对材料电性能起决定作用的是价带,价带是晶体中已被填充的能量最高的能带。 (3) 从晶体的能带结构看导体、半导体、绝缘体 ①导体 价带是导带, 是电的良导体。 ②非导体 价带是满带,是电的非导体。 ③绝缘体 非导体中已填满的价带与其相邻的空带间的禁带甚宽,满价带中的电子很难被激发到空带中去,因而极难使之导电,属于这种情况的晶体是绝缘体。 ④半导体 本征半导体 杂质半导体 非导体中已填满的价带与其相邻空带间的禁带较窄,满价带中的电子,比较容易受到激发而进入空带中,使空带和价带都变为导带,从而实现导电,属于这种情况的晶体是半导体。 不含杂质的半导体称为本征半导体。在温度接近0K时,价带被电子填满,空带中没有电子。由于半导体的禁带较窄,随着温度升高,价带中少数电子被激发,越过禁带进入上面的空带形成导带。这导致半导体的两种导电方式: 一是进入导带的电子有许多空能级可以跃迁,在电场作用下可以导电,如同导体中的电子流一样,称为电子型导电,记为n型导电; 二是电子被激发进入导带后,在满带中留出一些空的状态,称之为空穴。在外电场的作用下价带中的其它电子可跃迁进入空穴,同时又留下新的空穴,所以当电子沿与外电场方向相反的方向移动时,空穴便沿与外电场相同的方向移动。空穴的移动相当于正电荷的移动,称为空穴导电,记为p型导电。 本征半导体中同时存在两种导电机制:导带中的载流子是电子,形成电子流;价带中的空穴是正载流子,形成空穴电流。总电流是电子电流与空穴电流之代数和。 掺有杂质的半导体是杂质半导体,掺入一定类型的微量杂质,将极大地改变半导体的电性能。 从上述对导体、半导体、绝缘体的讨论可知,它们之间并没有不可逾越的鸿沟,可以用改变其内部状况或改变其外部条件的办法来促成它们的转化。 按量子理论,在极低的温度(几个K)下,导体电子中那些动量相反同时自旋也相反的一对电子,吸引束缚在一起形成电子对,称为库柏对。库珀对倾向于聚集到可能的最低能态,而成为一种高度有序的聚集态,从而使金属实现由导体向超导体的相变。提出这一理论是1957年美国的巴丁、库珀、施里弗,简称BCS理论。他们因此而获得了1972年诺贝尔物理学奖。 (4) 导体转变为超导体的机理 §8-3 半导体的应用 概括地说,半导体的应用主要是制成具有特殊功能的元器件,如晶体管、集成电路、整流器和可控整流器、半导体激光器、发光二级管以及各种光电探测器件、太阳能电池等等。在此只对其中最基本的几方面作初步的介绍。 一. 半导体材料 制作半导体器件的前提是获得所需的半导体材料。 半导体依靠导带中的电子或价带中的空穴导电。本征半导体不含杂质参与导电的电子和空穴数目相等。 改变半导体导电性的常用办法是在本征半导体中掺入杂质原子。 掺入的杂质原子如果比原来的原子多一个价电子(如在硅或锗中掺入V族元素磷、砷、铋等,称为施主杂质),则产生电子导电,使之变成n型半导体。掺入的原子如果比原来的原子少一个价电子(如在硅或锗中掺入Ⅲ族元素硼、镓、铟等,称为受主杂质),则产生空穴导电,变成p型半导体。 实际应用的半导体材料多为掺杂的单晶体,有时也用多晶体(如多晶薄膜)。近些年,非晶态半导体也有较大发展。 * 第八章 材料 现代科学知识的运用,使人们对材料的认识从表面的、经验性的认识,发展到了依据基础学科(主要是物理学和化学)提供的普适性知识,从材料的微观结构去认识材料,在理论的指导下优化材料,改造材料,创造新材料, 形成了专门研究材料的材料科学。物理学提供的知识是材料科学赖以建立的基础之一。在本章中将从物理结构讨论材料,并对一些常用的和新发现的材料作初步的介绍。

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