电工技术下教学第15章基本放大电路.ppt

本章要求： 放大的概念: 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用放大电路的直流通路确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 2. 图解分析 3. 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 多级放大电路及其级间耦合方式 例1: 解: 解: 解: 15.7 差分放大电路 15. 7. 1 差分放大电路的工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 信号输入 (3) 比较输入 15. 7. 2 典型差分放大电路 15.8 互补对称功率放大电路 15.8.1 对功率放大电路的基本要求 15.8.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.9 场效晶体管及其放大电路 15.9.1 绝缘栅场效晶体管 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 耗尽型 3. 场效晶体管的主要参数 场效晶体管与双极性晶体管的比较 15.9.2 场效晶体管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 (3) 特性曲线 转移特性曲线 ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 无沟道 有沟道 UGS/V UGS(th) UDS=常数 ID/16mA O 开启电压UGS(th） N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效晶体管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效晶体管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 由于耗尽型场效晶体管预埋了导电沟道，所以即使在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效晶体管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) U DS UGS=0 UGS0 UGS0 漏极特性曲线 O ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS 转移特性曲线 O ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 (3) P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 (3) 求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数 rbe2 RC2 rbe1 RB1 RE1 + _ + _ + _ 第二级放大电路为共发射极放大电路 总电压放大倍数 直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。 可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。 +UCC uo RC2 T2 ui RC1 R1 T1 R2 – – + + RE2 (2) 零点漂移 零点漂移：指输入信号电压为零时，输出电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。 uo t O 产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压