§2半导体材料课件(820KB).pptVIP

C)非晶态半导体中缺陷密度大，在禁带中引人大量的缺陷定域态。这些定域态的能级形成窄的能带。 2、非晶态半导体的电学和光学性质 1）直流电导 晶态半导体的导电主要是靠导带中的电子或价带中的空穴，而在非晶态半导体中存在有扩展态、尾部定域态、禁带中的缺陷定域态等，这些状态中的电子(或空穴)都可对电导有贡献。上述三种导电的区域不一定在一个材料中都同时表现出来，以及在室温附近究竟是哪种导电机构在起作用，这取决于不同导电机构中参量之间的关系。 2）光吸收 非晶态半导体与晶态半导体的近程有序是相同的，二者的基本能带结构相似。因而本征吸收谱没有大的变化，差别在于本征吸收边的位置有些移动，同时由于非晶态中不存在长程的周期性，因而不再有竖直跃迁与非竖直跃迁之分。 光吸收曲线可分为三个区域：A,高吸收区，吸收系数a104cm-1；B．指数区，吸收系数a变化为4至5个数量级；c，弱吸收区，a变化为10-1—10-2。 3）光电导 光照可以产生非平衡载流子，引起电导率的改变，这个现象称为光电导，光电导的大小与光照强度有关。 光电导效应是非晶态半导体的一个基本性质，特别是非晶硅。它的光电效应密切依赖于制备的工艺方法和工艺条件，其光电导效应是衡量非晶硅材料性质的基本参数。 非晶态半导体是高阻材料，存在着大量的缺陷定域态，具有显著的陷阱效应，即在光照产生非平衡载流子的同时，缺陷态上的电子浓度也要发生变化。