§8薄膜技术课件(6328KB).pptVIP

3）自掺杂（autodoping）效应 衬底中的杂质不断地蒸发出来，进入总气流并掺入外延层。 4）减小自掺杂效应措施 衬底杂质的选择：（扩散系数小、蒸发速率低，如Sb） 两步外延、低温（变温）技术（如选择适当的化学体系、光照、等离子体等）、 低压技术、掩蔽技术等 8.2.3 清洁技术 8.2.4 外延层性能检测 电阻率、杂质分布、厚度、缺陷 红外干涉法 IR（Infrared） Reflection，（coherence） Page 369 8.2.4 外延过程中的图形漂移 对策：晶向偏2~5°,含Cl, (100) 8.3 GaAs外延生长工艺 1）汽相外延 难点：As压与生长速率的控制（缺陷） 2）液相外延 （LPE） 特点：杂质均匀、缺陷少，表面质量差、厚度不易控制 8.4　异质结问题 晶格失配 对策：衬底材料的晶向、过度层 缺陷控制和掺杂问题 对策：催化、过度层；新技术； 主流技术：气相外延 8.5 先进外延生技术 1）MBE（molecular beam epitaxy) 可以控制到单原子层 2)MOVPE(Metal-organic vapor phase epitaxy) 金属氧化物分解 (375~380) 如：三甲基铟、镓（ＴＭＩ、ＴＭＧａ） 三