晶体硅太阳电池工艺技术知识2.ppt

多晶硅是由定向凝固的方法铸造而成的，它的结晶速度和生产能力均比单晶硅片的制造快许多。目前单一多晶硅的铸造炉的容量已超过270公斤。由于晶界的存在和晶体生长速度很快，多晶硅片的质量的均匀性较差，如晶粒大小不一样，晶界处杂质和缺陷浓度较高等。加之多晶硅晶粒晶向的不一致性，不能采用各向异性的化学腐蚀方法形成有效的绒面，因此在很长一段时间内多晶硅电池的转换效率比单晶硅电池的转换效率低很多。近年来，随着人们对多晶硅材料的理解的不断加深，对多晶硅材料的处理和电池工艺作了大量的改进，从而使多晶硅电池的转换效率得到了迅速的提高。大规模工业生产的转换效率也能达到14%以上。多晶硅电池转换效率的大幅度提高主要归功于磷扩散和铝背场的吸杂效应以及氮化硅减反射膜中氢原子对多晶硅材料中缺陷的钝化作用。 3.3 技术发展趋势 尽管近年来太阳能电池行业发展迅速，但是该行业进一步大规模发展取决于制造成本的进一步降低。表1显示了制造成本与电池转换效率之间的关系。分析表1的内容得出以下结论：要将电池的生产成本降低到1美元/Wp以下，电池的转换效率必须要高于18%，并要求生产成本低、生产能力高。 表 一 350（$/m2） 300（$/m2） 250（$/m2） 200（$/m2） 150（$/m2） 10% $3.5 $3.0 $2.5 $2.0 $1.5 12% $3.0 $25 $2.08 $1.67 $1.25 15% $2.33 $2.0 $2.0 $1.33 $1.0 18% $2.05 $1.67 $1.67 $1.11 $0.83 Cost Eff 多晶硅太阳电池技术 由于多晶硅具有比单晶硅相对低的材料成本，且材料成本随着硅片的厚度而降低，同时多晶硅片具有跟单晶硅相似的光电转换效率，多晶硅太阳电池将进一步取代单晶硅片的市场。因此太阳电池的技术发展的主要方向之一是如何采用大规模生产的工艺，进一步提高多晶硅电池的转换效率。针对目前多晶硅电池大规模生产的特点，提高转换效率的主要创新点有以下几个方面： I.???????高产出的各向同性表面腐蚀以形成绒面。 II.?????简单、低成本的选择性扩散工艺。 III.?? 具有创新的、高产出的扩散和PECVD SiN淀积设备。 IV.???降低硅片的厚度。 V. 背电极的电池结构和组件。 对于丝网印刷电池，发射结表面的扩散浓度至少达到1020/cm2， 发射结的深度至少为0.3～0.4μm。这两个参数是保证丝网印刷电结可靠工作的主要因素。降低发射结的扩散浓度能提高电池在短波段的光谱响应，但是，由于接触电阻可能增大，从而导致电池转换效率一致性的下降，为此，选择性扩散（即电池电极下的扩散浓度较浓）便显得尤为重要，这种方法也许不能增加电池的转换效率，但是会降低电池的接触电阻，从而保证产品有较好的一致性。 表面绒面对提高电池的转换效率起着重要的作用，它不但降低了表面反射，并且增加了光陷阱以及光生载流子的收集。由于各向异性化学腐蚀不能在多晶硅片的表面形成有效的绒面，人们采用了各种方法试图有效地减少多晶硅电池表面的反射。如机械刻槽、离子反应腐蚀、多孔硅、低成本选择性干腐或湿腐以及各向同性化学腐蚀等。其中各向同性酸腐蚀方法最为简单，且在不增加任何工艺步骤的情况下形成有效的低成本的绒面，比较适合大规模工业生产的要求。图9显示了各向同性酸腐蚀形成的绒面。 图9 多晶硅材料随着其供应商的不同而差异很大，这对电池生产工艺的优化和产品质量的控制带来很多不便。然而减少电池表面的复合率和改善体内质量是提高电池转换效率的重要手段。等离子体化学气相沉积（PECVD）氮化硅薄膜是很理想的电池表面减反射膜，同时也提供了较为理想的电池表面和体内钝化。目前，有两种等离子体化学沉积技术被广泛用于氮化硅的淀积工艺，一种是远程PECVD，另外一种是直接PECVD。前者在淀积氮化硅的过程中，对电池表面的损伤几乎可以忽略。因此对电池表面的钝化效果较为理想，而直接PECVD对电池表面的损伤较大，所以对表面的钝化效果不佳，但是电池表面损伤层能增强氢原子在硅材料体内的扩散，从而加强了电池体内钝化效果，然而直接PECVD对电池表面损伤在高温处理中（700℃）能得到恢复。 电池铝背场已被很多电池制造商应用于丝网印刷太阳能电池制造技术。大约20μm厚的铝浆通过丝网印刷方法沉积到电池的背面，在高温烧结过程中，铝和硅形成共晶合金，如果烧结温度高于800℃，铝在硅内的掺杂浓度会高达5×1018/cm3,而硅片衬底的掺杂浓度只在2×1016/cm3左右，从而在铝背场和衬底之间形成高/低结，有效地阻止了少数载流子向电池的背面扩散，降低了电池背表面的复合速率。铝背场可将电池背面的复合速