第八章光刻8方法技巧.pptVIP

8.3 光刻胶的基本属性(溶解度和黏滞度) 光刻胶由溶剂溶解了固态物质所形成的液体，其中溶解的固态物质所占的比重为溶解度 溶解度决定甩胶后所形成的光刻胶的厚度以及光刻胶的流动性。 黏滞度是影响光刻胶膜厚的因素之一 光刻胶越浓，它的粘度就越大(即越稠)在相同涂胶条件下所得到的胶膜就越厚；反之，则粘度小，胶膜薄。 可以通过改变胶液的浓度来调节胶的粘度，进而控制胶膜厚度。例如光刻细小图形时，为了提高分辨率，胶层必须相对地薄些，故必须采用浓度较稀的胶液 8.3 光刻胶的基本属性(微粒数量和金属含量) 光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关。 8.4 多层光刻工艺 减小光刻胶的厚度可以提高分辨率，但又需要有足够的厚度保护光刻胶下面的图形，同时还需克服由于各处光刻胶厚度不均匀所引起的线宽差异。 而只考虑形成清晰的线条还是不够的，曝光后的光刻胶图形还需要有足够的致密度以满足其后的工艺条件要求（干法刻蚀和离子注入） 为了得到即薄而又致密的光刻胶层，在成像工艺中采用多层光刻胶技术 采用多层光刻胶技术，利用性质不同的多层光刻胶，满足抗蚀性、平坦化等各种要求。 双层光刻胶工艺 顶层光刻胶经过曝光和显影形成曝光图形，并在作为刻蚀掩蔽膜。底层用来形成平坦化平面，需奥通过干法刻蚀去掉。 在某些光刻胶工艺中，需要在顶层光刻胶中加入硅，当底层光刻胶在氧气氛中进行等离子刻蚀时，顶层光刻胶中的硅与氧反应生成SiO2。这样，顶层的光刻胶就不再被氧等离子刻蚀，起到了一个硬保护层的作用。 光刻图形的硅化学增强工艺 采用两层光刻胶，底层是保护衬底图形，并在起伏的衬底上形成一层平坦化的光刻胶平面，顶层光刻胶很薄，用作成像层，分辨率很高 顶层光刻胶含有硅，在刻蚀底层的光刻胶时，顶层光刻胶中的硅与氧反应生成SiO2，形成硬保护层的作用。 （图8.8） 对比增强层（图8.9） 在甩胶和和前烘后，在光刻胶上甩上一层对比增强层。这层通常是不透明的，但在投影曝光系统中，不透明对比增强层在强光的作用下变为透明，光线通过透明的对比增强层对下面的光刻胶曝光。 在曝光中，不透明的对比增强层可以吸收衍射光线。 对比增强层直接与光刻胶接触，它的作用类似接触式曝光中的掩模版，达到接触式曝光的效果，而不受其限制。 曝光后，通过显影可以去除对比增强层 硅烷基化光刻胶表面成像工艺图8.10 为了减少多层光刻工艺的复杂性，通过对光刻胶所形成的图形进行选择性的硅基烷化（硅扩散到成像层中），从而使光刻胶顶层的成像层和底层分离，这种选择性的将硅扩散到成像层中的方法称为扩散增强硅烷基化光刻胶工艺 扩散增强硅烷基化光刻胶工艺 步骤： 光刻胶经过曝光之后，在光刻胶上形成隐性图形 对光刻胶进行前烘，使未曝光的光刻胶形成交叉链接 在光刻胶上形成硅基烷化的图形， 干法刻蚀光刻胶，在光刻胶上形成图形 图8.10 8.4 曝光 紫外光学：汞灯、准分子激光 非光学： X射线、电子束 曝光源的选择主要是根据光刻胶的光谱响应范围和所需达到的特征图形尺寸决定的。 深紫外DUV 248nm 193nm 真空紫外VUV 157nm 极紫外EUV 13nm 光学曝光源：汞灯 曝光时光刻胶与特定的UV波长有相应的特定光谱响应 准分子激光（紫外光源） 曝光时产生的光学现象 1、衍射现象：当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时，发生衍射现象。 解决： 减小曝光的波长 通过透镜俘获衍射光 透镜俘获衍射光 光刻机和光刻胶的分辨能力主要是由曝光的波长决定的，曝光的波长越短，分辨率越高，这主要是由于光的衍射现象的存在，波长越长衍射现象越严重，成为曝光系统分辨率的限制条件。 曝光时产生的光学现象 2、反射问题：主要是反射切口和驻波 在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要的曝光的光刻胶中就会形成反射切口，它对线宽 的控制产生不利因素 驻波效应 曝光光波在进入到光刻胶之后，如果没有完全被吸收，就会有一部分光波穿过光刻胶达到衬底表面，这一部分光波在衬底表面被反射之后，又回到光刻胶中。这样，反射光波与光刻胶中的入射光波发生干涉，从而形成驻波。 光刻胶在曝光中的驻波现象表现为在光刻胶中形成强弱相间的曝光区域。 驻波表证入射光和反射光之间的干涉，这种干涉将引起随光刻胶厚度变化的不均匀曝光 曝光后，光刻胶侧面是由于过曝光和欠曝光而形成条痕，驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率 第八章 光刻与刻蚀工艺 光刻是集成电路工艺中的关键性技术，由于光刻技术的不断更新，推动了ULSI的高速发展。 1958年，光刻技术的发明，研制成功平面晶体管，推动了集成电路的发明。 由1959年集成电路发明至今的40多年里，集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸