第八章光刻与刻蚀工艺1方法技巧.ppt

第八章 光刻与刻蚀工艺;1.高分辨率；（线宽） 2.高灵敏度的光刻胶；（光刻胶的感光速度） 3.低缺陷； 4.精密套刻对准； 5.大尺寸硅片的加工。 ;8.1 光刻的工艺流程;8.1 光刻胶;;;; ;;;光刻胶要求： 1 高精度； 2 高光阻敏感度； 3 精确对准； 4 精确工艺参数控制； 5 低缺陷密度。; 光刻工艺流程;清洗掉污染、颗粒，减少针孔和其他缺陷；改善光刻胶附着性； 基本方法：化学清洗、冲洗、干燥法 老式方法：高压氮气吹洗、高压水流、旋转擦洗;从硅片上移出水汽、改善光刻胶与硅片附着性。;;;;;;;;;8.1.1涂胶 先将光刻胶喷涂到硅表面上，然后旋转托盘，将托盘上的硅片也达到高速旋转，几千转/分，借着旋转中离心力作用胶均匀布满硅表面，有少数粘在片上，其余被甩掉。转速决定了胶膜的厚度。;;;;;;;;;;;;;;光刻胶与SiO2的附着情况 SiO2是亲水性的，光刻胶是疏水性的，SiO2可以从空气中吸附水分子，含水的SiO2会使光刻胶的附着力降低，这样形成的光刻胶图形可能出现整体或局部的脱落现象。 因此在涂胶前，需要对硅片进行去水处理，这称为去水烘培。烘培后的硅片再涂上一层增加光刻胶与SiO2附着力的化合物HMDS;8.1.2 前烘也称软烘(soft bake) 涂胶后的硅片，须在一定温度(80℃左右)下烘干20分钟，目的是使胶中的溶剂挥发，同时加强胶与硅片表面的粘附。 前烘是热处理过程，其温度与时间必须严格的控制，要不然对光刻胶的性能产生严重影响。 如果温度过低，胶中熔剂挥发的时间过长。温度过高，胶表面比胶中挥发的快，引起表面粗造。 时间的长短，引起胶中的熔剂含量变化，导致显影后图形的精度受到影响。 前烘有三种方法：1 利用热空气对流；2 利用红外线辐射； 3 利用热垫板的热传导 ;;8.1.3 曝光 曝光是使受光照的光刻胶膜发生光化学反应，即感光。它不仅确定了图案的精确形状和尺寸、而且要完成顺序两次光刻图案的准确套制。 根据曝光的光源，可分为：光学曝光、软X射线曝光、电子束曝光和离子束曝光。 光学曝光，由于掩膜的位置不同，又可分为接触式曝光、接???式曝光及投影式曝光。 1、光学曝光 光刻机曝光原理 ;光源;汞气的发射光谱;曝光光源;接触式曝光;接触式曝光 设备简单； 分辨率能够达到亚微米； 掩模板与硅片接触，限制了掩模板寿命； 颗粒影响；;;(2)接近式曝光 1 掩模板离硅片有10um； 2 掩模板使用寿命长； 3 分辨率3um;;;a)投影式曝光, b)十倍掩膜进行步进投影曝光示意图;(3)投影式曝光 1 掩模板与硅片1:1; 2分辨率1um;;;; 投影式曝光与硅片不接触，分辨率高。 掩膜上的图案比晶片上的图案要大许多倍，通常5倍及10倍两种选择。掩膜的图案经过放大的，在进行曝光时，掩膜的图案按比例缩小后，投影到晶体的某个部分，使其曝光，曝光不能一次完成，而必须经过数十次重复性的曝光，才能将整个晶片所需的曝光全部完成，如b)所示。完成上述一步一步的重复曝光系统称为步进机。;2、X 射线曝光技术 X射线波长范围取为0.2~4nm。X射线不易聚焦，曝光方式为接近式。光源有两种，一种是电子束轰击靶X射线源，另一种是同步辐射X射线源。掩模版为 X 射线曝光专用掩模版。 （1）曝光系统;（3）X 射线曝光掩模 X 射线曝光对掩模的要求： （a）材料的形变小； （b）透 X 光能力强的材料作为掩模衬底； （c）透 X 光能力差的材料作为图形区涂敷层。;（4）X 射线光刻胶 常采用电子束光刻胶，如 PMMA 等。 （5）X 射线光源 提高 X 射线辐射功率，减小曝光时间。光源尺寸 d 1mm，以提高分辨率。X 射线能量要求 1 至10 keV 。 （6）X 射线曝光主要特点 (a) 分辩率高，理论最小线宽小于0.05 ?m ，但实际上分辨率取决于掩模并受几何畸变和半影畸变的影响。 (b) 曝光时受衍射和反射的干扰小。 (c) 掩模的制作困难，成本高。 (d) 对准困难。 (e) 受X 射线源限制，曝光时间长。;3、电子束曝光技术