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第六章 金属化与多层互连技术 一、金属及金属性材料 1.按功能划分 ①MOSFET栅电极材料－MOSFET器件的组成部分，对器件的性能起着重要的作用。 ②互连材料－将同一芯片的各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模块。 ③接触材料－直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的接触点。 2.常用金属材料：Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 3.常压的金属性材料：掺杂的poly-Si、金属硅化物（PtSi、CoSi）、金属合金（AuCu、CuPt、TiB2 、ZrB2 、TiC、MoC、TiN） 第六章 金属化与多层互连技术 二、集成电路对金属化的基本要求 1.对P＋、N＋或poly-Si形成低阻欧姆接触，即硅/金属接触电阻越小越好； 2.提供低阻互连线，从而提高集成电路的速度； 3.抗电迁移； 4.良好的附着性； 5.耐腐蚀； 6.易于淀积和刻蚀； 7.易键合； 8.层与层之间绝缘要好，即相互不扩散，即要求有一个扩散阻挡层。 第六章 金属化与多层互连技术 三、欧姆接触 1.定义：金属－相对于半导体主体或串联电阻，当半导体接触处的接触电阻可以忽略不计时，称为欧姆接触。 2.三个重要的参数： ①功函数:费米能级与真空能级的能量差. 金属功函数- WM；半导体功函数－ WS。 ②肖特基势垒高度Φb: Φb＝WM- , ③接触电阻RC:RC=(dV/dJ)v=0 低掺杂： ，A*-理查德逊常数 三、欧姆接触 高掺杂： ， 3.形成欧姆接触的方法 ①低势垒欧姆接触:金属的功函数WM低于n半导体的功函数WS或金属的功函数WM高于p半导体的功函数WS。 实际：必须低于0.3eV以下才能形成欧姆接触。（由于有半导体表面态的存在，存在较宽的耗尽层。） 应用实例：测试探针 三、欧姆接触 ②高复合欧姆接触:半导体表面高浓度缺陷，在表面耗尽区起复合中心作用，使RC明显减少。 工艺：半导体表面研磨或喷沙处理，离子注入。 应用：功率管背面金属化；接触电极。 三、欧姆接触 ③高掺杂欧姆接触：在半导体表面扩散形成高掺杂层，金－半接触时，只形成很薄的耗尽区，载流子能以隧道穿透方式通过势垒。 工艺：载流子浓度大于1019 /cm3，耗尽区宽度小于10nm。 应用实例：引线孔 第六章 金属化与多层互连技术 四、 金属化的实现 1.真空蒸发淀积 ①电阻加热蒸发：利用难熔金属电阻丝（W）或电阻片（Mo）加热蒸发源，使之蒸发淀积在硅片表面。 淀积的金属：Al、Au、Cr等易熔化、气化金属。 ②电子束蒸发：利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源，使之蒸发淀积在硅片表面。 淀积的金属：熔点3000℃的难熔金属。 四、 金属化的实现 2. 溅射淀积 ①定义：用核能离子轰击靶材，使靶材原子从耙表面逸出，淀积在衬底材料上的过程。 被溅射材料称为靶材，作为阴极；而硅片作为阳极接地。 ②机理：抽真空后充惰性气体，电子在电场加速下，与惰性气体碰撞，产生惰性气体离子和更多电子，而惰性气体离子打到靶材上时，溅射出耙原子则淀积在阳极衬底上形成薄膜。 四、 金属化的实现 ③类型 直流溅射 磁控溅射 RF溅射 离子束溅射和反应金属 图8－5 平板型磁控溅射源示意图 由于在阴极面上存在极强的磁场，电子受洛伦茲力作用而被限制 在阴影区内，沿着类似摆线的轨迹运动（虚线），于是增加了电子 与气体的碰撞次数，增加了等离子体的密度，提高了溅射速率。 四、 金属化的实现 ④溅射条件： 衬底温度：200～230℃； 背景真空：3×10－4Pa； Ar气压:0.3Pa； 溅射速率：1.5nm/s。 五、铝硅接触 1. 合金化原理：铝和硅（重掺杂1019）在300℃以上可以在界面形成硅铝合金，从而形成半导体和金属的欧姆接触。 铝硅合金工艺：500℃（577℃共熔点），10～ 15分钟。 金和硅共熔点:370℃ 合金气氛：真空或H2 , N2混合。 五、铝硅接触 2.Al/Si接触的现象 ①Al/Si互溶：Al在Si中的溶解度非常低；Si在Al中的溶解度相对较高：400℃时，0.25wt%; 450℃时，0.5wt%;500℃时，0.8wt%。 ②Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比在晶体Al中大 40倍。 ③与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3 好处：降低Al/Si欧姆接触电阻；改善Al与SiO2的粘附性 ④Al/Si接触的尖楔现象： 五、铝硅接触 3. Al/Si接触的改善 ①Al-Si合金金属化引线 ②Al--掺杂poly-Si双层金属化结构 ③ Al-阻挡层结构