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掩膜版制造工艺：迎接45和32nm节点新挑战 whpzzseu123 发表于: 2007-7-06 10:18 来源: 半导体技术天地 掩膜版制造工艺：迎接45和32nm节点新挑战 ? ?随着集成电路制造工艺的飞速发展，45和32nm技术节点已成为近两年人们谈论的热点，作为集成电路制造工艺中最关键的光刻工艺首当其冲成为热点中的焦点。浸入式光刻(Immersion)、两次曝光技术(Double Patterning)、超紫外光刻(EUV)反复被人们提及，而作为光刻工艺三要素之一的掩膜版却往往容易被人们忽略。? ?从概念上讲曝光系统的工作原理与相机类似，通过一系列光学系统将掩膜版上的图形按照4:1的比例投影在晶圆上的光刻胶涂层上。从理论上讲，如果晶圆上的最小线宽(Critical Dimension)要达到45或32nm，掩膜版上的图形最小线宽(CD)只要达到180或128nm即可，与其他制作工艺相比，掩膜版的制造工艺相对要“容易”了很多。但掩膜版如同投影用的电影胶片的底片一样，它的技术水平直接影响着光刻技术的发展，特别是随着最小线宽的逐渐缩小，投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真等问题将越演越烈，掩膜版制造将如何从设备、工艺、版图设计等多方面着手以应对45和32nm工艺节点的新挑战？掩膜版制造设备的最新进展? ?谈到掩膜版，首先要谈到掩膜版制造设备——图形发生器(Pattern Generator)。目前，掩膜版制造设备供应商主要有三家：Micronic、Jeol和NuFlare，制作工艺分为激光和电子束两种图形描绘方式，但两种方式各有利弊。采用激光来描绘图形的优势是速度快、效率高，但精度不如电子束扫描方式；而采用电子束描绘图形，虽然精度高，但描绘速度慢、生产效率低。由于两种方式的互补性，掩膜版制造商会分别购买两种设备，当制备线宽要求很高的电路图形时使用电子束扫描，对于线宽要求不是很高的电路图形则使用激光扫描，两种设备的交替使用既满足了精度要求，也大大提高了速度，同时也大大降低了制造商的投资成本。? ?随着技术的发展，这种状况正在改变。三家掩膜版制造设备供应商都对各自的弱点有了技术上的改进。? ?生产激光图形发生器的Micronic于2005年推出了Sigma7500，它与传统的激光图形发生器有所不同。据Micronic的合作伙伴——台湾Hermes-Epitek公司光罩设备部门经理林文盛介绍，Sigma7500采用Micronic独家的SLM(Spatial Light Modulator)技术，含有百万个镜片的SLM会将深紫外光(DUV)准分子激光反射到掩膜版来产生光掩膜，可用于制备90、65、45nm技术节点量产用光掩膜版。Sigma7500在非对称性(Anisotropic-bias)、最小线宽偏置(CD-biasing)、畸变校正(Distortion Correction)和方角锐化(Corner Enhancement)等方面对图形进行处理，而这些处理是通过对像素的在线数据调整来实现的，不影响图形描绘速度。Sigma7500增加的自检功能(Self-Metrology)改善了系统的精度，在最小线宽和定位精度上提高了25%，广域线宽均匀性(Global CD Uniformity)和局域线宽均匀性(Local CD Uniformity)有很大改善，并开发了在掩膜版制造过程中对系统CD误差的校正功能。? ?2002年8月从Toshiba Machine分离出来的NuFlare是一家生产电子束图形发生器的供应商，它在缩短图形描绘时间和改善局域线宽均匀性方面有所进展。通过采用高辉度电子枪和高精度、高安定性的高压电源，新型Blanking系统和低像差光学系统，来实现高电流密度；同时采用高速、低杂音偏向DAC放大器和最佳化的可变速载台动作方式，缩短图形描绘时间。在改善局域线宽均匀性(LCDU)方面，NuFlare销售和市场部技术专家组组长Jun Takamatsu博士认为：“目前提高掩膜版生产效率的主要趋势是通过提高光刻胶的感光度，来增进感光剂的性能，但高感光度光刻胶的使用会减少电子的数量，电子数的减少会导致电子数量的波动，这会使LER增大，导致LCDU恶化，这种现象为Shot Noise。Shot Noise是产生CD误差的主要原因，试验证明采用低感光度光刻胶，可以将CD误差减少到最低值。”据Takamatsu介绍，NuFlare的EBM-6000已经达到32nm技术节点所需的描画精度。? ?另一家生产电子束图形发生器的Jeol Ltd.在2005年也推出了针对65nm节点的高端掩膜版制造设备JBX-3040MV，目前研发的设备也已达到32nm节点所需的描画精度。利用光学近似性校正技术与相位移掩