2014年春季学期微电子器件基础--第二章概要.pptVIP

EV+0.10eV--(SiGa–SiAs)或(SiGa- VGa)络合物 EC-0.002eV--浅施主，SiGa EV+0.22eV--砷-空位络合物 EV+0.03eV--浅受主，SiAs ③ SiGa – SiAs络合物、SiGa- VGa 络合物、As-空位络合物 As Ga SiGa VGa Ga SiGa – SiAs络合物 Ga SiGa SiAs Ga Ga SiGa- VGa 络合物 As Ga VGa Ga Ga 砷-空位络合物 VI族原子替代V族原子，比V族原子多的一个价电子容易失去，产生施主能级。 掺碲或硒获得N型砷化镓。 p型砷化镓掺氧获得电阻率107Ωcm的半绝缘砷化镓。 E、VI族元素氧、硫、硒、碲 钒产生深施主能级（EC -0.22）eV，铬、锰、铁、钴、镍分别产生受主能级（EV+0.79）eV、（EV +0.095）eV、（EV +0.52）eV、（EV +0.16）eV、（EV +0.21）eV。 N型砷化镓掺铬制得电阻率107Ωcm的半绝缘砷化镓。 F、过渡族元素钒、铬、锰、铁、钴、镍 过渡族元素--d、f壳层部分填充电子的元素 2.3 宽禁带半导体GaN、AlN、SiC中的杂质及杂质能级 杂质或缺陷 镓位 氮位 性质 Si 0.012-0.02 D VN(氮空位） 0.03; 0.1 D C 0.11-0.14 D Mg 0.26; 0.6 D VGa(镓空位） 0.14 A Mg 0.14-0.21 A Si 0.19 A Zn 0.21-0.34 A Hg 0.41 A Cd 0.55 A Be 0.7 A C 0.89 Li 0.75 A 表2-4 纤锌矿型GaN杂质能级(eV) 图2-14 纤锌矿型AlN杂质能级(eV) 导带 价带 0 1 2 3 4 5 6 --氮空位 --碳替代铝 --铝替代氮 杂质 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC N 0.081 (D) 0.052(D) 0.06-0.1 (D) 0.138 (D) 0.092 (D) 0.142 (D) Al 0.23 (A) 0.23 (A) 0.26 (A) 0.1-0.27 (A) B 0.35 (A) 0.29 (A) 0.735 (A) Ga 0.29 (A) 0.3 (A) 0.343 (A) Sc 0.52-0.55 (A) Ti 0.6 (A) 0.12 (D) (Ti-N对） 0.16 (D) Cr 0.54 (D) 0.15 (D) 0.18 (D) 0.74 (D) 表2-5 3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC的杂质能级(eV) 杂质 6H-SiC 4H-SiC 3C-SiC V 0.7 (D) 0.97(D) 0.66 (D) 1.6 (A) 0.092 (D) Be 0.32-0.42 (A) 0.23 (A) 0.26 (A) P 0.085 (D) 0.135 (D) 热涨落使部分格点原子克服势垒，迁移到晶体表面格点，形成空位。 一定温度下空位浓度， 肖特基缺陷 势垒 V 2.4 半导体的本征点缺陷、线缺陷及其性质 2.4.1 半导体的本征点缺陷 --晶格原子浓度 格点原子脱离格点进入间隙，形成间隙原子和空位。 一定温度下，弗仑克耳缺陷浓度， 弗仑克耳缺陷 V 势垒 —晶格间隙浓度　 —晶格空位浓度　 空位最近邻4个硅原子各有１个不成键电子，能接受电子，起受主作用。 间隙硅原子的4个价电子可以失去，起施主作用。 Si Si Si Si Si Si Si Si 空位 硅、锗半导体的本征点缺陷及其性质 性质： ① 正离子空位带负电(受主性），负离子空位带正电（施主性） ② 负电性小的间隙原子是施主，负电性大的间隙原子是受主 ③ 负电性小的原子偏多产生负离子空位，负电性大的原子偏多 产生正离子空位 化合物半导体的本征点缺陷及其性质 例1、 A+B-型离子晶体本征点缺陷 - + - + - + + - - - + - + - + + + - + - - + - + - + - + 负离子空位 （带正电） 正离子空位（带负电） + 间隙正离子 （带正电） - 间隙负离子（带负电） 例1、 在硫分压大的气氛中处理硫化铅，产生铅空位获得P型硫化铅； 在铅分压大的气氛中处理硫化铅，产生硫空位获得N型硫化铅； 通过控制成分及其比例改变化合物半导体的导电类型 例2、 在真空中对氧化锌进行脱氧处理，产生氧空位获得N型氧化锌； 负电性： 硫—2.58 铅—2.33 负电性： 氧—3.5 锌—1.65 As As As Ga As Ga As Ga Ga Ga Ga Ga