电力电子技术 第1章 绪论 第2章 电力电子器件（樊建强）.pptVIP

2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的 关系。 √开启电压UGE(th)是 IGBT能实现电导调制而 导通的最低栅射电压，随 温度升高而略有下降。 （a） 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?输出特性（伏安特性） √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 √当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv √tfv分为tfv1和tfv2两段。 ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi √tfi分为tfi1和tfi2两段 ?引入了少子储存现象，因而 IGBT的开关速度要低于电力MOSFET。 图2-25 IGBT的开关过程 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。 ?在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的 能力。 ?通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 ?输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。 ?与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的擎住效应和安全工作区 ◆IGBT的擎住效应 ?在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。 ?引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。 ?动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆ IGBT的安全工作区 ?正向偏置安全工作区（Forward Biased Safe Operating Area——FBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 ?反向偏置安全工作区（Reverse Biased Safe Operating Area——RBSOA） √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。 2.5 其他新型电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 2.5.5 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT ■MCT（MOS Controlled Thyris