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铋层状高温压电陶瓷文献阅读 汇报人： xx 指导老师：yy老师 王bb老师 沈ee老师 时间： 2016.10.29 汇报 近期查阅了功能陶瓷相关的书籍，阅读了有关铋层状高温压电陶瓷的论文和期刊，并做了笔记，加深了对铋层状压电陶瓷的理解，同时也巩固了相关电学知识。 文献阅读 文献目录： 1.高温铋层状压电陶瓷Na0.5Bi4.5Ti4O15改性研究 2.高温铋层状结构Na0.5Bi4.5Ti4O15压电陶瓷研究 3.铋层状压电陶瓷的结构与电性能研究 4.高温铋层状结构SrBi4Ti4O15压电陶瓷的性能及温度稳性研究 5.铋层状无铅压电陶瓷的研究进展 6.高温铋层状结构压电陶瓷的电学性能研究 7.髙温铋层状无铅压电陶瓷Na0.5Bi4.5Ti４O15的结构与性能研究 8.三大无铅压电陶瓷体系的最新研究进展 文献阅读 9.Sr和Nb复合掺杂Bi4Ti3O12基高温压电陶瓷的研究 10.（Li，Na，K)0.5Bi2.5Nb2O9铋层状无铅压电陶瓷的结构与性能研究 11.铋层状结构无铅压电陶瓷的制备技术与性能研究 12 .Ce掺杂SrBi2Nb2O9系铋层状压电陶瓷的结构与性能研究 14.铋层状结构无铅压电陶瓷的离子取代改性研究 15.LiNbO3和CeO2改性高温铋层状陶瓷Bi4Ti3O12的结构与性能研究 16.复合掺杂铋层状高温压电陶瓷的结构与性能研究 文献阅读 铋层状结构化合物是一类重要的无铅压电材料，它具有以下特点：介电击穿强度大、居里温度高、烧结温度低、电阻率高、介电常数与介电损耗低、老化率低、机械品质因数高、厚度机电耦合系数较小、机电耦合系数各向异性明显、压电性能稳定、谐振频率的时间和温度稳定性好等。鉴于以上原因，铋层状结构陶瓷材料在滤波器、能量转换器、高温和高频领域有着广泛的应用前景。与传统的PZT材料相比较，铋层状结构铁电体有两个缺点，一是压电活性低；二是矫顽场大，难以极化。这主要是由于铋层状结构晶体的对称性较低，自发极化受二维结构限制且只能在面内转动。除此之外，陶瓷的化学计量比受高温下氧化铋挥发的影响，从而导致材料内产生大量氧空位，使材料介电、压电等性能降低。 一般来说居里温度随取代离子半径的增大而降低，随取代离子电负性的升高而增加。 文献阅读 目前，无铅压电陶瓷主要分为以下几个系列：含铋层状结构陶瓷、铌酸盐系列陶瓷和钛酸盐系列陶瓷。 含铋层类结构化合物： 目前无铅超高温压电陶瓷的研究多集中于Na0.5Bi4.5Ti4O15，CaBi4Ti4O15，Bi4Ti3O12等少数超高温压电陶瓷材料上。 文献阅读 铋层状结构化合物是由(Bi2O2)2 +层和二维的钙钛矿层 (Am - 1Bm O3m+1)2 -循环交替排列而成。其化学通式：(Bi2O2)2 +(Am - 1Bm O3m+1)2 - m一般为l-5的整数，是指相邻两(Bi2O2)2 +层间钙钛矿层的层数。m的值与铁电的正交结构有关。m为奇偶时结构也不同，主要原因是为了达到晶体结构应变能的最小化。研究表明m也可以为小数，即当铋层状结构化合物是不同层数铋层状结构化合物产生共生时。 通过掺杂改性和工艺改性，可以提高材料的压电性能。对于铋层状结构材料的掺杂改性主要为A位、B位掺杂,以及A、B位同时掺杂改性。 文献阅读 A位掺杂中,镧系稀土元素是铋层状结构材料中最常用和有效地掺杂元素。对镧系元素掺杂改性的机理,一般认为是取代了易挥发的Bi,减少了氧空位的产生。 B位改性掺杂主要是通过高价离子如V5+、W5+的掺杂来抑制Bi的挥发,降低铋空位从而抑制氧空位的产生,减弱畴钉扎,提高剩余极化强度。由于Ｂ位离子的离子半径差异不明显，较容易扩散进入陶瓷晶格中，但随取代量的增加，其晶格常数的变化幅度远小于Ａ位离子取代改性。 A、B位同时掺杂的主要目的是通过A位掺杂来提高抗疲劳特性,同时适当降低居里温度，通过B位离子的取代来提高剩余极化强度。 工艺改性包括热处理技术包括热压烧结、热锻法等和基于粉体制备的晶粒定向技术包括模板晶粒生长法、溶盐合成法、多层晶粒生长技术、定向凝固法。 文献阅读 高温固相反应法，即在高温过程中，固体自身热分解、氧化，以及固体与固体之间反生了化学反应生成新化合物的过程。固相反应法是制备压电陶瓷的传统工艺，缺点是如能耗大、效率低、粉体不够细、易混入杂质等，但该法制备的粉体颗粒无团聚、填充性好、成本低、产量大、制备工艺简单等优点，迄今仍为经常使用的方法。 文献阅读 X射线衍射分析：XRD物相分析是基于多晶样品对X射线的衍射效应，对样品中各组分的存在形式进行分析测定的方法。测定内容包括各组分的结晶情况、所属晶相、晶体结构、各元素在晶