一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶.pdfVIP

[19 ]中华人民共和国国家知识产权局 [51] Int. Cl. C23C 14/35 (2006. 01 ) [12 ]发明专利申请公布说明书 [21 ]申请号 200910058821. X [11] 公开号 CN 101519769A [43] 公开曰 2009 年9 月 2 日 [22] 申请日 2009.4.2 [21] 申请号 200910058821. X [71 ]申请人 电子科技大学 地址 610054 四川省成都市建设北路工段四 号 [72] 发明人杜晓松蒋亚东靖红军 权利要求书 1 页说明书5 页附图5 页 [54] 发明名称 一种改善磁场分布的平面磁控溅射靶 [57] 摘要 本发明公开了一种改善磁场分布的平面磁控溅 射靶，包括阴极革巴、革巴座、永破体、屏蔽罩、革巴材 压围和导磁片，永磁体安装在溅射靶的下面，由中 心永磁体和外围永磁体组成，其特征是在外围永破 体的内侧上方设置导磁片，导磁片由屏蔽罩或者靶 材压国提供连接支撑。 本发明可以使溅射靶上方的 一个更大的面积内具有水平方向的磁场分布，因而 能极大地增加靶的侵蚀面积，提高靶材的利用率， 延长靶的使用寿命。 本发明只需对常规的磁控溅射 12 靶进行一次改进，具有简单易行、应用范围广、普 适性强等特点。 20091005882 1. X 权利要求书 第1/1支 1 、一种改善磁场分布的平西磁拉溅射克，包括阴极革己、靶庄、永磁体、屏 蔽罩、靶材压围和导磁片，陈述永磁体安装在靶庄的下面，由中心永磁体和外 国永磁体组成，胡极革己设亘在靶座的上方并由四周的革巴材压菌固定在靶座上， 屏蔽旱设直在战射在A 四肩上方 1-3mm 处并与胡极靶绝缘，其特征在于，导磁片 由导屯的软磁材料制或，设置在溅射草己的四肩上方，导磁片的外倒端面位于外 围永磁体的外倒端面以内，内倒端西比外围永磁体的内侧端面向内伸入 3-10%R, R 为中心永磁体和外国永磁体的中心距。 2、急据权利要求 1 所述的一种改善磁场分布的平面磁控裁射靶，其特征在 子，所述的导磁片由屏蔽罩支撑连接，或为屏蔽罩的内侧部分，在阴极草巳靶面 上方 1-3mm。 3 、想据权利要求 1 所述的一种改善教场分布的平面磁控浅射靶，其特1正在 于，所述的导磁片白靶材压菌支撑连接，成为靶材压围的内倒部分。 4、根据权利要求 1 所述的改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特征在于， 所这导磁片在垂直于靶面的方向上在靠近溅射靶中心的一倒厚度最大，为 10-60%R，司在远离城射草巴中心的一倒厚度依次或薄。 5 、想据权利要求 1 所述的改善磁场分布的平岳磁控溅射靶，其特征在于， 导磁片的外倒端面位于外国永磁体的外倒端岳以内 20-40%W， W为外围永磁体 的宽度。 6 、根据权利要求 1 所述的改善磁场分布的平面磁控溅射靶，其特拉在于， 导磁片材料的相对磁导率大于 10。 7、想据权利要求 1 所述的改善磁场分布的平面磁控溅射克，其特征在于， 平岳磁控溅射靶为园子技或矩形。 2 20091005882 1. X 说明书 第1/5支 一种改善磁场分布的平面磁控裁射靶 技术领域 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种平面磁控浅射革已。 背景技术