半导体α谱仪测量铝箔厚度实验.pdf

半导体α谱仪测量铝箔厚度 一、 实验目的： 1. 了解金硅面垒半导体探测器α谱仪的工作原理及特性； 2. 掌握α谱仪的调整技术，及使用α谱仪测量α离子能谱的方法； 3. 学会用α谱仪测量能量损失求薄箔厚度的方法； 4. 测定 241Am核素α衰变的相对强度。 二、 实验内容： 1. 调整一台α谱仪到最佳工作状态，测定谱仪能量分辨率； 2. 用精密脉冲发生器代替α源进行能量刻度； 3. 测量 241Amα离子通过铝箔的能量损失，确定铝箔厚度； 4. 用偏置放大器来扩展能谱，测量 241Amα衰变的相对强度。 三、 注意事项： 1. 抽真空愈加偏压的次序：开机时应该先抽一会儿真空再加偏压， 关机时则应先把偏压慢慢调到 0 关掉后，在停止抽真空，应避免 探测器再加偏置电压的情况下曝光，以免损坏。 2. 偏压升降速度应20V/s。 3. 注意真空系统的正确操作。抽前关闭放气活门；停泵时，在断开 真空泵电源后马上打开放气活门，与大气相通防止泵油倒流回系 统。 4. 严禁手拿α源，用镊子时注意别划伤源表面。 5. 十圈度盘的调节和读数应注意不要读错，调节要轻不要太用力。 当指示为“0”或者“10”时注意分清，并正确判断调节方向，跳 不动时不要用力拧，以免损坏。另外为减少读数误差，十圈电位 器要朝一个方向旋转（顺时针或逆时针）。 四、 实验步骤及数据： 1. 用 241Amα源调整谱仪到正常的工作状态： 1) 用示波器观察线放输出脉冲波形。当金硅面垒半导体探测器偏置 电压与选为 50V 时，在方格纸上记录抽真空愈不抽真空下的输出 波形；测量实录线性放大器不同时间常数时，先行输出波形的变 化关系。 答：波形见后面的坐标纸。从图中波形比较可以明显看出： a) 抽真空情况下输出波形的峰位明显高于不抽真空下的输出波形， 抽真空使输出波形变“瘦”了； b) 在时间常数不同的情况下，可以看出随着时间常数的增长，波形 变化有着明显趋缓的形式，但是峰值没有改变。 2) 同样偏置电压下，分别测量（不抽真空，不加偏压）、（抽真空， 不加偏压）、（不抽真空，加偏压）、（抽真空，加偏压）四种情况 下，241Amα离子的能量分辨率： 答：选择的偏置电压为：50V 情况 抽，不加 抽，加 不抽，不加 不抽，加 FWHM（道） 15.90 6.33 31.93 28.53 525.89 761.07 346.27 513.71 峰顶所在道数 误差 1.11% 1.40% 0.60% 1.33% 3.02% 0.83% 9.22% 5.55% 能量分辨率η 从上述表格中不难看出，在（抽真空，加偏置电压）的情况下，可以 得到最好的能量分辨率！ 3) 合理选择α谱仪的最佳工作常数：偏压分辨为5、30、60、80V， 以及选择放大器的成形时间常数（微分时间常数和几分时间常数 最好相等），分别用多道测量α谱，选择最佳的工作电压和成形时 间常数： 答：在不同的偏置电压和时间常数下的能量分辨率η 偏置电压 5 30 60 80 （V） 0.1 6.90% 5.81% 5.69% 5.75% 成形 0.2 6.86% 5.96% 5.53% 5.93% 时间 0.4 7.68% 5.69% 5.63% 5.81% (μs) 0.8 7.34%