射频电路设计技术讲解第三章.ppt

第3章 有源晶体管;从本质上讲，移动通信市场的成功，是以半导体制造技术的发展与飞跃为基础的，近年来电信业、移动电话业务的大规模发展就是很好的例证。 本章首先介绍了用于当代射频电路的各种各样有源晶体管，然后对其带宽、增益、噪声、功率容量和线性度等关键射频性能进行了对比与分析。;3.1 不同材料的比较 ;3.1.1 硅基材料简介 ;3.1.2 砷化镓基材料简介 ;3.2 双极型晶体管 ;3.2.1 双极型晶体管的历史简介 ;3.2.2 双极型晶体管的工作原理 ;3.2.3 双极型晶体管的频率性能 ;直流工作特性 双极型晶体管作为一个放大器，共有两种情形： （1）共基极放大器 （2）共发射极放大器 ;共基极的输出特性 共发射极的输出特性;射频工作特性 晶体管的集总式元件等效电路如下图 所示：;截止频率 欲要截止频率值大，晶体管应具有高的直流增益、小的基极电阻、小的PN结间电容，并应当工作在大电流状态。 反过来，这意味着晶体管应当具有小的横截面面积，以便最小化电容、高掺杂浓度的基区和大的电流增益。 ;一个晶体管的最大资用增益定义为：输入和输出两端口都满足最佳匹配条件时，前向功率增益。 最高工作频率定义为：最大资用增益降低到单位1时的频率。实际上，寄生效应和二阶效应把工作频率限制在比最高工作频率低的值。 ;3.3 场效应晶体管 ;当晶体管工作时，即漏极-源极电压增大时，电流通过晶体管栅极下的导电沟道从源极流向漏极。该电流-电压（I-V）特性是线性的，且直接遵循制造该晶体管所用半导体的速度-电场特性。 在正常工作条件下，金属半导体场效应晶体管的源极接地，若为N型沟道工作（电流的载体是电子），相对于源极，漏极处于正偏置，肖特基栅极可以处于正偏置（前向）或者负偏置（反向）。 ;当栅极上加载了负偏置电压，对于给定的漏极偏置电压，可在晶体管中产生一个较高的电场。因此，栅极上偏置电压越负，发生电流饱和所对应的漏极电压将越低。 ;反向偏置的导通，决定了场效应晶体管的工作特性，因此，有两种可能的工作模式： （1）当这种晶体管可以设计成：栅偏置为零时，沟道内仍然有电流流过。这一??作状态出现在较厚的沟道内，并称为“正常导通”。 （2）这种晶体管也可设计成具有较窄的沟道，使零偏置耗尽区足以夹断该沟道，导致沟道电流中断。这种状态被称做“正常断开”。;半导体场效应晶体管的直流工作特性 ;金属半导体场效应晶体管的射频工作特性 金属半导体场效应晶体管的集总元件式等效电路如下图所示：;最大资用增益（MAG）定义为：输入与输出端口同时共轭匹配时，可达到的最大功率增益。 最大振荡频率定义为：MAG下降到单位1时的频率。 ;为了最优化MAG和最大振荡频率，必须满足实现高截止频率的许多要求，但是除这些要求之外，也必须最小化栅极电阻。 使用栅极指数技术能达到最优化MAG和最大振荡频率这一目的。 然而，栅极指数增多将导致电极间电容量显著增加，其限制了晶体管的截止频率和最大振荡频率。 ;3.4 异质结双极型晶体管 ;3.4.1 双极型晶体管与场效应晶体管的比较 ;噪声性能 （1）所有晶体管在低频段时，噪声主要起源于材料中的、结间的交界面上的、衬底表面上的捕获效应。这些效应叠加在一起，给出了噪声功率谱密度，具有1/f的关系。 （2）在1/f拐角处频率以上，噪声由电流散粒噪声和电流通路中电阻产生的约翰逊噪声决定。 ; （3）随着频率增高，晶体管中电容将晶体管内产生的散粒噪声和约翰逊噪声一起耦合到晶体管的输入和输出端。 ;实现高截止频率、最大工作频率和MAG的双极型和场效应晶体管，要求同时优化两种晶体管的垂直结构的许多参量和处理技术。 满足当代射频电路应用的成品率、体积、可靠性和成本要求时，将是硅和砷化镓技术研究者面临的挑战。 ;双极型和场效应晶体管的功率和线性度性能 （1）对于功率放大器设计而言，功率处理能力和线性度性能是重要的标志性指标参量。 （2）一个晶体管的功率处理能力，可通过晶体管能承载的最大和最小的电压和电流值来定义。 ;（3）从晶体管技术观点来看，最小化晶体管的接入电阻，同时最大化击穿电压，并且在确定的晶体管几何结构条件下最大化驱动电流容量是很重要的。