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纯Al靶材Hillock简介 Background 带有几十电子伏以上动能的荷能粒子轰击固体材料表面时，材料表面的原 子或分子获得足够的能量而脱离固体的束缚逸出到气相中，这一现象成为 溅射。而把靶材溅射到气体中的材料收集起来，使之沉积成膜，则成为溅 射镀膜。 Sputter及成膜的模型图 实际生产中通常采用Ar 气作离子源: 1).使用Ar ，溅射率大; 2).Ar 是惰性气体，不活跃，稳定; 3).Ar 价格便宜; 4).Ar 容易得到高纯度的气体（5N ）; 5).安全性能好。 Background 溅射的定义和分类 溅射现象是在辉光放电中观察到的。在辉光放电过程中离子对阴极的轰击， 可以使阴极的物质飞溅出来。溅射现象不但能制备薄膜，而且还可以对固体表 面进行清洁处理，即将表面剥离，在等离子刻蚀中得到广泛应用。（Sputter设 备复机机后作Dummy 目的就是利用这一原理对靶材表面的氧化物等进行剥离） 具体的溅射方法可分为：直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射、粒子 束溅射、偏压溅射等。也可根据使用要求，对各种溅射方法进行改进。如，将 射频技术与反应溅射相结合就构成了射频反应溅射。 Al薄膜的特点 AI薄膜的优点： ①.具有较低的电阻率，适于大屏幕、高清晰度LCD显示。 ②.Al薄膜易于阳极氧化，其氧化膜A12O3 的介电常数适中，与SiNX膜匹配较好。 AI薄膜的缺点： ①.AI薄膜的热稳定性差，高温处理后其表面易产生严重的小丘现象，在实际 应用中将引起栅与源、漏电极及其引线的短路缺陷。 ②.AI膜的化学稳定性差，易与其它材料的腐蚀液发生反应，产生点、线缺陷。 ③.Al栅电极材料中的Al原子存在向a一Si:H层的扩散现象，使漏电流增大，不 利于TFT开关特性。 Hillock产生机理 Hillock产生机理 溅射发制取薄膜时，由于到达基片的溅射粒子（原子分子及其团簇）的能 力比蒸发镀膜大得多，因而薄膜的生长和性质带来一系列的影响。溅射粒子 轰击会造成成膜基板温度上升和内应力的增加，膜层内应力是造成Hillock 的 主要原因。 不同退火温度下发生Hillock严重度的比较 a. Dep.后SEM结果 b. Anneal温度85 ℃ （1h） b. c. Anneal温度185 ℃ （1h） d. Anneal温度450 ℃ （1h） 与薄膜中晶粒生长和析出过程类似，在某些薄膜表面形成小丘的现 象也被认为是一种应力的释放过程。对于Al膜/玻璃系统，在加热升 温的过程中，当Al栅电极形成之后，还要经过多道PECVD制膜工艺， 温度由室温变化到300℃以上，使Al膜中的压缩应力逐渐增大。 Hillock产生机理 Hillock产生机理 由于玻璃与AI膜之间的热膨胀大小不同，Al膜因此发生膨胀变形，其在玻璃 一侧的膨胀将受到限制。随温度的不断升高，Al膜的弹性形变增大。在某一极 限温度下(对纯Al膜而言，这个温度为130℃左右) ，Al膜达到承受内部压缩应力 的极限，它将通过原子扩散的方式释放压缩应力，此时在薄膜表面就形成小 丘。 Hillock产生的简单示意图 热膨胀系数比比较 在Al膜表面形成小丘时，膜中Al原子向小丘内扩散，这使得小丘附近 的膜中的横向扩散加强。由于在小晶粒的薄膜结构中，沿着晶