第二章第二节压阻式传感器1.pdfVIP

2.2 压阻式传感器 2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿 2.2.1 半导体的压阻效应 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种 效应称为压阻效应 半导体材料的压阻效应特别强。 压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。频率响 应高，体积小。它主要用于测量压力、加速度和 载荷等参数。 因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感 器的温度误差较大，必须要有温度补偿。 压阻效应 单晶半导体材料在沿某一轴向受外力作用时，其电阻率发生很大变化 R  (1  2  )  R  金属材料 半导体材料 半导体电阻率 ＝ E l l l  l π为半导体材料的纵向压阻系数，它与半导体材料种类及应力方向 l 与晶轴方向之间的夹角有关； E为半导体材料的弹性模量，与晶向有关。 R (12 E ) l R 对半导体材料而言，πE (1+2 μ) ，故(1+2 μ)项可以忽略 l R     E l l R 半导体材料的电阻值变化，主要是由电阻率变化引起的， 而电阻率ρ的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 R R / K  E l  半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关，它随杂质的增加而减小 2.2 压阻式传感器 2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿 2.2.2 体型半导体电阻应变片 结构型式及特点 测量电路 1. 结构型式及特点 体型半导体电阻应变片是从单晶硅或锗上切下薄片制成的应变片 主要特点 • 灵敏系数比金属电阻应变片的灵敏系数大数十倍 • 横向效应和机械滞后极小 • 温度稳定性和线性度比金属电阻应变片差得多 2. 测量电路 恒压源 U UR / ( R R ) 0 T 电桥输出电压与ΔR / R成正比，输出