光电探测技术与应用第4章课后习题与答案.pdfVIP

第4章 1 写出硅光电二极管的全电流方程，说明各项的物理意义。 答：硅光电二极管的全电流方程为 qU q    d I  (1 e  ) I (e kT 1) hc e, D 式中，为光电材料的光电转换效率，为材料对光的吸收系数。 光电流为 q d I   (1e )e, h 无辐射时的电流为 qU I I D (e kT 1) I D 为暗电流，U 为加在光电二极管两端的电压，T 为器件的温度，k 为玻尔兹曼常熟，q 2 比较2CU 型硅光电二极管和 2DU 型硅光电二极管的结构特点，说明引入环 极的意义。 答：2CU 型硅光电二极管是采用 n 型硅材料作基底，在 n 区的一面扩散三价元素硼而生成 重掺杂p  型层，p  型层和 n 型硅相接触形成 p-n 结，引出电极，在光敏面上涂上SiO2 保 护膜。2DU 型硅光电二极管是以轻掺杂、高阻值的 p 型硅材料做基底，在 p 型基底上扩散 五价元素磷，形成重掺杂n 型层，p 型硅和n 型硅接触形成 p-n 结，在n 区引出正极，并 涂以透明的SiO2 作为保护膜，基底镀镍蒸铝后引出负电极。在硅光电二极管的制造过程中， 在光敏面上涂SiO2 保护层的过程中，不可避免的会沾污一些杂质正离子，通过静电感应引 起表面漏电流，并进而产生暗电流和散粒噪声。因此，为了减少由于SiO2 中少量正离子的 静电感应所产生的表面漏电流，在氧化层中也扩散一个环形 p-n 结而将受光面包围起来，即 引入环极，以增加高阻区宽度，避免边缘过早击穿。 为什么在光照度增大到一定程度后，硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增 大？硅光电池的最大开路电压为多少？为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照 度下 的开路电压？ 答：答：当光照强度增大到某个特定值时，硅光电池的 p-n 结产生的光生载流子 数达到了最大值，即出现饱和，再增大光照强度，其开路电压不再随之增大。硅 I kT  q d 光电池的开路电压表达式为U ln( 1) ，将I (1 e ) 代入 oc q I D  h e, dU 的表达式并求关于 的一阶导数，令 oc 0 ，求得最大开路电压。由 d   max qU qU 于输出电压Uo I L RL [I P I D (e kT 1)]RL ，即包含了扩散电流I D e kT 和暗电流 I D 的影响，使得硅光电池的有载输出电压总小于开路电压Uoc