[工学]第四章+半导体存储器.pptVIP

第四章 半导体存储器 4.1 概述 4.2 半导体存储器 4.3 只读存储器 4.4 存储器的扩展与寻址 4.5 存储器与微处理器的连接 4.6 辅助存储器(外存) 4.7 新型存储器技术 本章学习目标 l掌握半导体存储器的分类、组成及组成部件的作用及工作原理、读/写操作的基本过程。 l掌握SRAM、DRAM芯片的组成特点、工作过程、典型芯片的引脚信号、了解DRAM刷新的基本概念。 l掌握半导体存储器的主要技术指标、芯片的扩充、CPU与半导体存储器间的连接。 l了解Cache的基本概念、特点、在系统中的位置。 4.1 概述 存储器就是用来存储程序和数据的，程序和数据都是信息的 表现形式。按照存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器 （简称内存，又称主存储器）和外存储器。存储器的容量越大，记 忆的信息也就越多，计算机的功能也就越强。 4.1.2 存储器的性能指标 1. 存储容量：存储器可以存储的二进制信息总量。 （1）存储容量（容量）=存储器单元数×每单元二进制位数 （2）换算关系： 1KB=210B=1024B 1MB=220B=1024KB 1GB=230B=1024MB 1TB=240B=1024GB 2. 存取速度：取决于存储介质的两种物理状态的变换速度，可以用存取时间和存取周期来衡量。 3. 价格：常用每位的价格来衡量。 4. 可靠性：对电磁场及温度等因素变化的抗干扰性 5. 功耗：功耗指每个存储单元所消耗的功率 4.1.3 半导体存储器的分类 1、制造工艺分类：双极性、CMOS型、HMOS型 2、应用角度分类： 4.2 随机存取存储器RAM 4.2.1 静态RAM（SRAM）(一位存储电路) 1、SRAM的基本存储电路 2．静态RAM的结构 芯片6116 容量：2K*8位，2048个存储单元， 11根地址线，7根用于行地址译码输入，4根用于列地址译码输入； 控制线：片选信号、输出允许、读写控制 工作过程： 芯片6264 特殊引脚：CS2，通常接到+5V；掉电时：当电压下降到=0.2V时， 只需向该引脚提供2微安的电流，则在Vcc=2V时，该芯片进入数据保护状 态。 作用：数据保护作用 4.2.2 随机存取存储器RAM 1.动态RAM（DRAM）的存储电路 刷新地址通常由刷新地址计数器产生，而不是 由地址总线提供。 由于DRAM的基本存储电路可按行同时刷新， 所以刷新只需要行地址，不需要列地址。 刷新操作时，存储器芯片的数据线呈高阻状 态，即片内数据线与外部数据线完全隔离。 6.2.2 随机存取存储器RAM 2. 动态RAM举例（刷新时只输出行地址） Intel 2164A芯片： 1、容量：64K*1bit,有65536个存储单元（64*1024=65536） 2、地址线：16条（2^6*2^10=2^16,16根），行列地址线分时复用 3、行地址选通信号、列地址选通信号 4、读写操作：2164A无片选信号 3、高集成度DRAM和内存条 4.3 只读存储器 4.3.1 掩膜ROM 4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） 1．基本存储电路 4.3.2 可擦除可编程的ROM（EPROM） 4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) 1、并行EEPROM （1）2816的工作方式 读方式 写方式 片擦除方式 备用方式 （2）2817A的EEPROM的擦写过程： 将RDY/BUSY=0 将新数据写入 将RDY/BUSY=1 4.3.3 电可擦可编程ROM(EEROM) Intel 2817的引脚 4.3 只读存储器 4.3.3 光（紫外线）可擦除EPROM 这种存储器利用编程器写入后，信息可长久保持。当其 内容需要变更时，可利用擦除器将其所存储信息擦除，使各 单元内容复原为FFH，再根据需要利用EPROM编程器编程，因 此这种芯片可反复使用。 4.3.4 电可擦除E2PROM（读快、写慢） 能在微机系统中进行在线读写，即用加电的方式来实现 芯片擦除和重新写入，在断电情况下芯片所保存的数据信息 也不会丢失。 4.3.5 闪速存储器（高速读写） 特点是既具有RAM的易读易写、体积小、集成度高、速度 快等优点，又有ROM断电后信息不丢失等优点。 4.4 存储器的扩展与寻址 4.4.1 位扩展 位扩展如右图所示。 4.4 存储器的扩展与寻址 4.4.2 字位扩展 字位扩展如右图所示。 4.4 存储器的扩展与寻址 4.4.3 存储器的寻址 1、线选