北京交通大学教学课件—敏感器件设计.pptVIP

* * 研究举例 需要考虑的问题 ① ?频率检测方式； ② 如何简化结构和工艺并尽量与集成电路工艺兼容； ③ 减小薄膜结构层的应力； ④ 气敏膜材料的选择； 叉指加热测温电极的版图 传感器结构示意图 Si SiO2/Si3N4 Resonate beam Sensitive film Bottom electrode Top electrode Heating/Detecting resistor Fig. 3.1 Schematic drawing of the sensor structure 3. 模拟与优化 ? 形状 尺寸（um） 一阶频率（kHz） 二阶频率（kHz） 三阶频率（kHz） 矩形 350╳300 135.45 169.74 313.19 500╳300 65.92 96.93 182.51 两脚形 L1:300 L2:50 W1:200 W2:150 61.94 86.64 176.91 四脚形 L1 L2 L3 W1 W2 100.79 130.51 242.91 300 140 50 200 75 300 140 50 200 150 49.57 70.08 149.35 300 100 100 200 75 111.09 157.73 275.92 2. 工作原理 amplifier V+ Vout R fout 传感器的检测原理示意图 laser 电阻检测系统 1）叉指电极 2）气体敏感膜 3）外接测量电路 质量检测系统 电容检测： is =dq/dt=dCs/dt *Vs 激光检测（光学多普勒效应） 实验 多晶硅侧墙实验——解决表面平坦化 多晶硅：①耐氢氟酸腐蚀的能力较强 ②应力较小 步骤： ⑴ LPCVD PSG 2mm; ⑵ 光刻、刻蚀 PSG; ⑶ LPCVD PolySi 2mm; ⑷ RIE PolySi 形成侧墙 2. Si3N4的应力实验 实验过程 ⑴ 选片，测量硅片的原始应力; ⑵ 热氧化形成2000?的SiO2,测量应力; ⑶ LPCVD Si3N4 2000 ?，测量应力; ⑷ 对Si3N4进行离子注入，分别采用不同的工艺条件 ? 磷离子P 硼离子B 相同剂量（5E15） 不同能量 130，150，180（kev） 40,70,100(kev) 相同能量(130kev)不同剂量 0, 1E14, 5E15 ? 3.下电极材料的选择实验 要求： ①导电性好 ②抗氢氟酸能力强 Pt （与衬底材料的粘附性） PtSi 硅化铂耐王水腐蚀实验 PolySi（掺杂） 5. Pt黏附性实验——增强表面金属连线的抗腐蚀性 ⑴ 选片，三种材料：Si3N4（2000 ?）、SiO2（2000 ?）、 Si为衬底的样片; ⑵ 溅射Pt(1000 ?)或Au/Pt，在溅射之前每种样片分出一片 进行反溅，目的是将衬底表面粗糙化以增强铂与其的黏附 性。 ⑶ 进行氢氟酸HF腐蚀实验，时间分别为7分钟（牺牲层释放 时间）和更长的10分钟； ⑷ 在显微镜下观察样片表面的情况； 实验结果 Si3N4上的Au/Pt,先反溅,HF腐蚀10分钟 Si3N4上的Pt, 未反溅,HF腐蚀7分钟 SiO2上的Pt,先反溅HF 腐蚀10分钟 Si上的Pt,先反溅，后经HF腐蚀10分钟 6.气敏膜的制作和淀积 金属氧化物敏感材料（SnO2） 复合氧化物固体电解质材料 高分子气敏（湿敏）材料 ——丙烯酸溶于苯乙醇（1：1），放置24小时 五 传感器的测试 被测气体：H2O 测试内容： 频率测试：33%、53%、75% （频率变化、Q值、灵敏度） 电阻测试：11%、33%、53%、75% （电阻变化） 目的：证明该传感器吸附气体后电学量和质量均应该有明显的变化从而验证 可表征气体的特征信息 1.频率测试 示波器 激励电源 激光测振仪 传感器频率检测系统简图 Laser 密闭容器 上电极 下电极 测试结果（直流18V, 交流的峰峰值为9.9V ） （b）湿度为53％ (a)湿度为33％ （c）湿度为75％ 矩形（350×300）谐振梁在不同湿度条件下测振的输出波形 湿度为33％、53％、75％时传感器的Q值分别为9.6、8.1和4.2 （a）L=350mm 矩形梁 在不同湿度条件下不同形状梁的谐振频率响应 （b）L=500mm 两脚梁 灵敏度S定义为?f/