探索氧化锌奈米线元件在不同电极尺度下的电性传输.pdfVIP

國立交通大學 電子物理研究所 碩士論文 探索氧化鋅奈米線元件在不同電極尺度下 的電性傳輸 Contact Electrode Influences on Electrical Properties of ZnO Nanowire Devices 研究生謝凱力: 指導教授簡紋濱: 教授 中 華民 國 一零一 年 六月 探索氧化鋅奈米線元件在不同電極尺度下的電性傳輸 學生謝凱力: 指導教授簡紋濱: 教授 國立交通大學電子物理研究所 摘要 隨著元件尺度的縮小，介面所產生的接點電阻會逐漸主導元件的電性，本篇論文 我們將探討當尺度更進一步縮小至奈米級時，蕭特基接觸有何改變，並與本質氧化鋅 的傳輸做比較。 在本次實驗中我們設計兩種類型的元件來探討不同類型的傳輸模式，兩種元件皆 使用 直徑約為 70 nm的氧化鋅奈米線， 經過450~550 ℃高溫退火 24 小時以增加其氧 缺陷並提高導電率。第一種類型是直接將氧化鋅奈米線在矽基東上製成兩點量測之元 件，並將 此種元件稱為氧化鋅奈米元件，而第二種類型則是利用金奈米線作為電極去 交疊氧化鋅奈米線，並在兩奈米線上外加電極製成元件，稱為金奈米線電極元件， 此 種元件的接觸面積可以縮減至約五千平方奈米的數量級， 以達到我們想觀察 小接面的 電性傳輸行為的目的 。兩種元件可分別探討氧化鋅奈米線的本質傳輸情形與奈米尺寸 接點電阻之情形，量測各溫度的電流電壓曲線，對兩者進行分析。- 氧化鋅 奈米線元件的傳輸行為，可以使用熱活化傳輸理論與變程跳躍傳輸理論電 導並聯的模型來擬合，在高溫時由熱活化傳輸主導，低溫時由三維變程跳躍傳輸主導， 若活化能越低則要在越低溫的狀態下才能觀察到三維變程跳躍主導的情形。 金奈米線電極元件，為一由蕭特基接面主導的之元件，可由各溫度的電流電壓- 曲線以熱離子發射理論以及蕭特基效應擬合，進而觀測到其位障大小以及位障隨電壓 增大而減小的蕭特基效應，所得到之位障約為 20 meV再將所得到之位障大小對電壓 作圖，再根據熱離子發射理論，可使用蒙地卡羅法求出其理想位障高度以及摻雜濃 度。 I Contact Electrode Influences on Electrical Properties of ZnO Nanowire Devices Student: Kai-Li Hsieh Advisor: Prof. Wen-Bin Jian Institute of Electrophysics National Chiao Tung University Abstract The electron transport in ZnO nanowires and the nanoscale metal/semiconductor interface are studied from analyses of temperature-dependent current-voltage behaviors in the temperature range from 30 to 300 K. In this study, 70 nm-diameter ZnO nanowires were used for device fa