低频电子电路半导体受控器件基础.ppt

线性电子电路 第二章 半导体受控器件基础 2.1 双极型晶体管的电量制约关系 二、三极管结构示意图及电路符号 2.1.1 晶体管的导电原理 放大状态下的外部条件分析 2. 放大或击穿情况（导电原理） 三极管的参数α、β等及其温度特性 三极管特性——具有正向受控作用 2.1.2 三极管的伏安特性曲线（可由图示仪直接测出） 三极管的三种连接方式——三种组态 输入特性曲线 输出特性曲线 饱和区（ vBE? 0.7V，vCE0.3V ） 放大区（ vBE? 0.7V， vCE0.3V） 截止区（ vBE? 0.5V， vCE ? 0.3V） 击穿区 三极管安全工作区 三极管参数的温度特性 2.1.3 三极管的直流简化电路模型 例1 工程近似法--估算法 例2 例3 埃伯尔斯—莫尔模型（用于计算机辅助分析） 2.2 场效应管(Field Effect Transistor) 场效应管的电路符号: 总结： 场效应管与三极管的比较 N沟道EMOSFET导电原理 vDS对iD的控制（假设vGS VGS(th) 且保持不变） 结型场效应管的结构示意图和电路符号、工作原理 vDS对iD的控制（假设0vGS VGS(th) 且保持不变） （二）、场效应管的工作原理 输出特性曲线(以N沟道EMOSFET为例） 四、场效应管的主要参数 极限参数 最大漏极电流 IDM；最大耗散功率 PDM 漏源击穿电压 VDS(BR) ；栅源击穿电压 VGS(BR) 五、场效应管的使用注意事项 MOSFET结构示意图 及电路符号 N + N + P + P + P U S G D 源极 漏极 衬底极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P型硅 衬底 S G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道宽度 N沟道EMOSFET管的结构示意图 返回 N沟道EMOS管的导电原理 VGS ? 开启电压VGS(th) 形成N型导电沟道(反型层） 表面层 np P P + N + N + S G D U VDS - + 1.若vGS= 0，vDS0 ， …….. …….. - + VGS 因vGS作用产生电场（G→P衬底）→排斥空穴，吸引电子。 则D极与衬底之间的PN结反偏，漏源之间没有导电沟道，iD=0。 2.若vGS 0，vDS=0 ， VDS - + iD iD iD iD (3)转移特性： VGS(th) 取vDS= 10V 当vGS vGS（th) ，没有形成导电沟道iD=0 当vGS vGS（th) ，形成导电沟道， vGS↑→导电沟道↑→iD↑。 此时有iD受vGS控制： 开启电压 保证栅漏 PN 结反偏 vDS对iD的影响 P P + N + N + S G D U vDS - + vGS - + iD iD iD iD 由图知：vGD = vGS - vDS vDS很小时 → vGD ?vGS 。此时沟道宽度近似不变， 即沟道电阻Ron不变。 因此：vDS?→iD线性 ?。 若vDS ?→则vGD ? →近漏端沟道宽度? → Ron增大。 此时：Ron ?→iD ?变慢。 当vDS↑到使vGD ?=VGS(th)时 → A点出现预夹断 A 此时: vAS =vAG +vGS =-VGS(th) +vGS （恒定） 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l 不变（即Ron不变） 因此预夹断后： vDS? →iD 基本不变。 若考虑沟道长度调制效应, 则 vDS ? →沟道长度 l ? →沟道电阻 Ron略 ?。 因此 vDS ? →iD 略 ?。 此时N区的多子电子(由S向D方向运动）在电场（D→A)作用下产生漂移运动形成电流iD 由上述分析可描绘出iD随vDS 变化 关系 (输出特性）曲线： 曲线形状类似晶体管输出特性 iD/mA vDS /V O vDS = vGS – VGS(th) vGS4 vGS2 vGS3 vGS1 iD vDS 0 vGS –VGS(th) vGS一定 vGS一定 vGS改变 vGS VGS(th) vGS = VGS(th) 返回 S G D S G D P + P + N G S D N沟道JFET P沟道JFET N + N + P G S D 沟道 D、S间是通过沟道相连 工作原理 P + P + N G S D vGS iD iD iD PN 结反偏，耗尽层↑↓→沟道宽度、高度↓↑→沟道电阻↓↑，这样vGS才能有效地对iD进行控制。∴对N沟道管的vGS 0 。 1.vGS=0时，沟道