LED 课件介绍.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * logo 四：LED 小白你可以的 爱迪生灯泡的发明 , 实现了人类历史上照明方法的一次革命,它为人类的各种活动带来了前所未有的便利,为人类文明的发展起了巨大的推动作用.经过近 30多年的努力 ,以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明有望在未来的十几年内进入传统的以灯泡为基础的照明领域, 引发照明方法的又一次伟大革命。 20世纪60年代末首只磷砷化镓(GaAsP)红色的发光二极管（Light emitting diodes，简 称LED） 问世以来，经过近40年的努力，半导体照明材料科研和产业得到迅速发展。在21世纪，LED将在显示、照明领域扮演重要角色，而半导体发光材料产业也将受到了各国政府的大力支持。 Contents 目录 历史与原理 材料的选择 主要应用 发展现状 Part One 历史与原理 01 碳化硅里观察到电致发光现象；锌硫化物与铜中提炼的的黄磷发光. 1-1 发展史 英国科学家在电致发光的实验中使用半导体砷化镓发明了第一个具有现代意义的LED 80?年代早期到中期对砷化镓磷化铝的使用使得第一代高亮度的LED?的诞生，先是红色，接着就是黄色，最后为绿色。 90?年代中期，出现了超亮度的氮化镓LED，随即又制造出能产生高强度的绿光和蓝光铟氮镓Led。 1-2工作原理 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光机理是靠电子在能带间跃迁产生光, 这种发光效应属注入电致发光, 其发光波长主要由材料的禁带宽度决定。发光二极管主要由一个PN结组成，在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把能量以光的形式释放出来，从而直接把电能转换成光能。电流从LED的阳极流向阴极的时候，半导体晶体就发出从红外到紫外不同颜色的光线，其中光的强弱与电流有关。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 LED(Light Emitting Diode) Part Two 材料 02 pn 结注入的少数载流子与多数载流子复合发光时，释放的光子能量小于带隙宽度。 因此， 晶体的带隙宽度必须大于所需发光波长的光子能量。 带隙宽度合适 为制备优良的pn结，要有p型和n型两种晶体，而且这两种晶体的电导率应该较高。 电导率高的 p 型和 n 型晶体 晶体的不完整性对发光现象有很大影响。 不完整性是指能缩短少数载流子寿命并降低发光效率的杂质和晶格缺陷。 因此需要完整性好的优质晶体。 完整性好的优质晶体 发光领域多用直接带隙材料，且有较高的发光效率。电子(空穴)的迁移率比间接带隙材料要高。 直接带隙 2-1材料的条件 半导体材料 GaN及SiC为代表的宽禁带半导体( E g 2 . 3eV) 相比第一代、第二代半导体材料, 第三代半导体材料有很多重要的优点,例如 : 禁带宽度大、击穿电压高、热导率大 、电子饱和漂移速度快、介电常数小、抗辐射能力强 、化学稳定性良好等。这些优良的性能使其在光电器件、大功率高温电子器件等方面备受青睐 第三代半导体材料 2-2材料的选择 2-3第三代半导体材料 GaN 金刚石 ZnO SiC SiC SiC 是开发最早的宽禁带半导体材料 ,在现今已开发的宽禁带半导体中 ,SiC 是技术发展最成熟的一种。SiC 晶体结构具有同质多型的特点 ,即在化学计量成分相同的情况下具有不同的晶体结构 ,各同质异型体之间的化学性质相同,但在物理性质,特别是半导体性能方面则表现出各自的特性 。SiC 属间接带隙半导体 ,导致 SiC LED的发光效率都较低,但是由于研究得很早,所以制造工艺比较成熟,且 SiC蓝色 LED 有耐高温 、抗辐射损伤 、耐高电压击穿和高频特性好等优点,因此仍得到广泛使用 。 GaN Ⅲ-Ⅴ化合物中的 GaN 、AlN 和立方氮化硼等都是比较常见的宽禁带半导体材料, 在 LED 领域应用得最多的是GaN 。与 SiC 相比 ,GaN 具有其独特的优势: ①是直接带隙半导体材料 ; ②电子迁移率 是SiC 的2 倍 ; ③ 无微管缺陷; 虽然发展相对较晚,但是GaN 半导体工艺近 20 年来发展态势极为迅猛,已成为光电领域应用最广泛的第三代半导体材料 。 不过单晶 GaN 衬底的价格到目前为止还是非常昂贵的( 5 . 08cm( 2in) 衬底 , ＄ 3000 ～ 7000/片), 这无疑阻碍了GaN 半导体器件的商业化进程。人们正在尝试采用蓝宝石衬底,它是迄今为止最便宜而且很实用的 GaN 器件衬底 。现在另一种降低成本的新方法就是采用 Si 作 GaN 生长的衬底, 取得了良好的效果 。 ZnO ZnO 是继 GaN 以后出现的又一种很有应用前景的宽禁带半导体材料,它在某些方面具有比GaN 更优越的性能 ,如 : 熔