第章_变磁阻式传感器.ppt

第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 气隙变小，电感变大，电流变小 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 1.铜损电阻Rc取决于导线材料及线圈的几何尺寸 2.涡流损耗电阻Rｅ? 由频率为ｆ的交变电流激励产生的交变磁场，会在线圈铁心中造成涡流及磁滞损耗。根据经典的涡流损耗计算公式知，为降低涡流损耗，叠片式铁心的片厚应薄；高电阻率有利于损耗的下降，而高磁导率却会使涡流损耗增加。 3.磁滞损耗电阻Rh铁磁物质在交变磁化时，磁分子来回翻转而要克服阻力，类似摩擦生热的能量损耗。 4.并联寄生电容C的影响并联寄生电容主要由线圈绕组的固有电容与电缆分布电容所构成。 第3章 变磁阻式传感器 一.工作原理与输出特性 如前所述，自感式传感器实质上是一个带气隙的铁心线圈。按磁路几何参数变化形式的不同，目前常用的自感式传感器有变气隙式、变面积式与螺管式三种；按磁路的结构型式又有Π型、E型或罐型等等；按组成方式分，有单一式与差动式两种。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 可见，变面积式传感器在忽略气隙磁通边缘效应的条件下，输出特性呈线性，因此可望得到较大的线性范围。与变气隙式相比较，其灵敏度较低。欲提高灵敏度，需减小δ，但同样受到工艺和结构的限制。δ值的选取与变气隙式相同。 第3章 变磁阻式传感器 3.螺管式自感传感器 ?? 下图为螺管式自感传感器结构原理图。它由平均半径为r的螺管线圈、衔铁和磁性套筒等组成。随着衔铁插入深度的不同将引起线圈泄漏路径中磁阻变化，从而使线圈的电感发生变化。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 采用差动式结构，除了可以改善非线性、提高灵敏度外，对电源电压与频率的波动及温度变化等外界影响也有补偿作用，从而提高了传感器的稳定性。右图表示传感器非线性改善的情况。 第3章 变磁阻式传感器 二.测量电路 1.电桥电路 自感式传感器常用的交流电桥有以下几种。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 2.谐振电路 谐振电路如图3.8(a)所示。图中Z为传感器线圈，E为激励电源。设图(b)中曲线1为图(a)回路的谐振曲线。若激励源的频率为f，则可确定其工作在A点。当传感器线圈电感量变化时，谐振曲线将左右移动，工作点就在同一频率的纵坐标直线上移动(例如移至B点)，于是输出电压的幅值就发生相应变化。这种电路灵敏度很高，但非线性严重，常与单线圈自感式传感器配合，用于测量范围小或线性度要求不高的场合。 第3章 变磁阻式传感器 图3.8?(ａ)谐振电路?(ｂ)谐振曲线 3.恒流源电路 这种电路与大位移(螺管式)自感传感器配用，见图3.9。传感器线圈用恒流源激励，ｕ1是衔铁在螺管线圈内移动时线圈两端的电压，ｕ2是与ｕ1反相、幅值恒定的电压，ｕ0为电路输出电压。于是，ｕ0＝ｕ1-ｕ2。ｕ2的作用是抵消电压的非线性部分，使输出电压呈线性。由图可见，当衔铁刚进入传感器线圈时，其电压灵敏度dU/dｌa较低，线性也较差。当ｌa>ｌ′后，灵敏度提高，线性改善，进入工作区域。 第3章 变磁阻式传感器 图3.9? 大位移自感式传感器工作原理 (ａ)电原理图；(ｂ)输出特性 第3章 变磁阻式传感器 4.调频电路 第3章 变磁阻式传感器 当传感器线圈电感L发生变化时，调频振荡器的输出频率相应变化。利用阶梯形无骨架线圈，可使衔铁的位移变化与输出频差变化呈线性关系。传感器的结构见图3.10。 由于输出为频率信号，这种电路的抗干扰能力很强，电缆长度可达1km，特别适合于野外现场使用。 第3章 变磁阻式传感器 5.相敏检波电路 相敏检波电路是常用的判别电路。下面以带二极管式环形相敏检波的交流电桥为例介绍该电路的作用。 第3章 变磁阻式传感器 如图3.11(a)所示，Z1、Z2为传感器两线圈的阻抗，Z3＝Z4构成另两个桥臂，U为供桥电压，U为输出。当衔铁处于中间位置时，Z1＝Z2＝Z，电桥平衡，U＝0。若衔铁上移，Z1增大，Z2减小。如供桥电压为正半周，即A点电位高于B点，二极管D1、D4导通，D2、D3截止。在A—E—C—B支路中，C点电位由于Z1增大而降低；在A—F—D—B支路中，D点电位由于Z2减小而增高。因此D点电位高于C点，输出信号为正 第3章 变磁阻式传感器 如供桥电压为负半周，B点电位高于A 点，二极管D2、D3导通，D1、D4截止。在B—C—F—A支路中，C点电位由于Z2减小而比平衡时降低；在B—D—E—A