倒入黑色聚乙烯片架中.ppt

光刻基本操作 一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。 二、光刻的主要步骤： 匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查 匀胶： 目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的 光刻胶 准备工作：①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片 ②、检查胶瓶内光刻胶（胶液面 距瓶底5厘米，及时更换新 胶，并填写“换胶记录表”） ③ 、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表，选择正确的匀胶程序 注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应 通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个 陪片，方可进行正式片的匀胶 所有胶类型 加工步类型 程序号 负胶 氧化层及氮化硅层 用5#（0.8um~1.1um） 铝层及钝化层 用4#（1.3um~1.6um） 正胶 氧化层及氮化硅层 用1#（0.9um~1.2um） 铝层及钝化层 用3#（2.2um~2.5um） 前烘 目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发， 增强抗显影能力 主要步骤：①、将匀完胶的硅片从黑色的片架 中倒入白色的四氟片架中 ②、将硅片放入烘箱中，负胶烘15 分钟，正胶25分钟 ③、将烘好的硅片取出，倒入黑色 聚乙烯片架中 注意：操作时必须带上手套操作 曝光 目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上 主要步骤： ①、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查， 照射背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹 掉，切忌不要吹正面 ②、装版：将版盒打开，开口方向背对自己， 将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上 版盒，准备曝光 ③、上版与对版： RTLD〉RCHG/N FILE NAME = C：MK609- RETICLE NAME = M2 EXECUTE？ ④、 曝光操作： FEXP〉PRNT/IO 。 。 PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_ 找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”） HOW MANY WAFERS = _1_ 待片子上到载片台后，手动对准标记进行 曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续 进行曝光 一次曝光为NEXP 所用胶类型 加工步类型 曝光时间 负胶 氧化层 湿法腐蚀片 200ms~500ms 带胶注入片 200ms~500ms 氧化硅层（孔） 200ms~500ms 铝层 100ms~300ms 钝化层（压点） 200ms~400ms 正胶 氧化层 湿法腐蚀片 200ms~400ms 带胶注入片 200ms~460ms 氧化硅层（孔） 200ms~400ms 铝层 500ms~700ms 钝化层（压点） 500ms~1000ms 曝光时间确定表 目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除，留下未感光部分的胶膜 注意事项：①、检查N2压力不低于22PSI，真空 压力必须大于22或23Hg/cm2,显 影液压力调制15PSI ②、检查显影液是否够，若不够，要 及时添加 ③、机器若出现故障，及时通知班长 或技术员 显影 光刻胶性质 加工步骤 显影程序号 热板程序号 负胶 氧化层，氮化硅层，铝，压点 1# 1# 光刻后带胶注入 1# 2# 正胶 铝层