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* * 二极管伏安特性 * 二极管伏安特性 管子的正向电阻小 * 二极管伏安特性 三、 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 * 以上均是二极管的直流参数,二极管的应用主要是利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 1)微变电阻 rD( ) iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比: 显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 体现了Q点附近电压对电流的控制作用 Q点处是正向导通压降 2) 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容:为了形成正向电流(扩散电流),注入P 区的少子(电子)在P 区有浓度差,越靠近PN结浓度越大,即在P 区有电子的积累。同理,在N区有空穴的积累。正向电流大,积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路: 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd * § 2.4 二极管基本电路及其分析方法 一、二极管正向V-I特性的建模 * * 3、折线模型 由于二极管特性的分散性,Vth和rD的值不是固定不变的。 认为二极管的管压降不是恒定的,而是随着通过二极管电流的增加而增加。 例:导通电流为1mA时, * 4、小信号模型 iD uD ID UD Q ?iD ?uD Q点处是正向导通压降 rd * 二、模型分析法应用举例 例1、简单二极管基本电路如下图所示,R=10K ,求电 路的ID和VD值。(1)VDD=10V; 2)VDD=1V。(每种情况下,应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。) (a) (b) 1、二极管电路的静态工作情况分析: * 2、限幅电路 * 3、开关电路 二极管:死区电压=0 .5V,正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例:二极管半波整流 * 1、稳压二极管 2.5 特殊二极管 1、稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡,电压越稳定。 + - UZ 动态电阻: rz越小,稳压性能越好。 * 稳压二极管的参数: (1)稳定电压 UZ: (2)电压温度系数?U(%/℃) 稳压值受温度变化影响的系数。 (3)动态电阻 * (5)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 (4)最大允许功耗 * * 稳压二极管的应用举例 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时,负载电压基本不变。 解:令输入电压达到上限时,流过稳压管的电流为Izmax 。 求:电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2,可解得: 2、其他二极管 1)光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 2) 发光二极管 有正向电流流过时,发出一定波长范围的光,目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光,它的电特性与一般二极管类似。 * * * * * 第二章 半导体二极管及其 基本电路 模拟电路 § 2.1 半导体基础知识 § 2.2 PN结的形成及特性 § 2.3 半导体二极管 § 2.4 二极管基本电路及其分析 § 2.5 特殊二极管 半导体二极管及其基本电路 §2.1 半导体的基本知识 导体、半导体和绝缘体 导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体
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