电工电子技术第二版课件第5章常用半导体器件.pptVIP

5.5.1 基本结构和工作原理 P型硅衬底 源极 栅极 漏极 P N N G S D SiO2绝缘层 两个N区 衬底引线 1. 基本结构 N沟道增强型 金属铝 导电沟道 G S D 源极 栅极 漏极 N沟道耗尽型 预埋了导电沟道 G S D P N N G S D G S D P沟道增强型 N P P G S D 源极 栅极 漏极 P沟道耗尽型 G S D 预埋了导电沟道 N P P G S D 2. MOS管的工作原理 以N沟道增强型为例 UDS UGS P N N G S D P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUTH）感应出足够多电子，这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。 感应出电子 UTH称为开启电压 P N N G S D UDS UGS UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 5.5.2 增强型N沟道MOS管的特性曲线 0 ID UGS VT 跨导： UGS对ID的控制能力 当漏源间电压U DS 保持一定值时，漏极电流ID与栅源极电压UGS的关系曲线。 1. 转移特性 当栅源间电压UGS ? UTH 并保持一定值时，漏极电流ID与漏源极电压U DS的关系曲线 ID U DS 0 UGS=3V UGS=4V UGS=5V Ⅰ Ⅱ Ⅰ区：UDS较小时 ID随UDS的增加而增加，相当于一个可变电阻 可变电阻区 Ⅱ区：UDS较大时 ID只随UGS的变化而变化， UGS一定时， 相当于一个压控恒流源 恒流区 2. 输出特性曲线 ?耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS Uoff 夹断电压 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 不论栅—源电压正、负或0都能控制漏极电流，但一般工作在负栅—源电压状态 P沟道绝缘栅场效应管的工作原理和特性与N沟道场效应管完全相同，两者只是在工作时所加电压的极性不同，当然，产生电流的方向也不同。 即：P沟道增强型场效应管在 UGS 0时 导通 5.6 光电器件 1.发光二极管与光电二极管 1）发光二极管 LED 发光器件 结构：由能发光的化合物半导体材料制作成PN结 功能：将电能转换成光能。 工作原理：PN结加正向电压导通时，发光； PN结加反向电压截止时，不发光。 导通电压：1 ~ 2V 导通电流：几 ~ 几十毫安，须接限流电阻 注意：光电二极管工作在反向状态！ 2）光电二极管 受光器件 功能：将光能转换成电能。 工作原理：光照时，产生随光照强度而增加的反向电流； 无光照时，反向电流很小。 注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！ 3）光电三极管 受光器件 功能：将光能转换成电能，且有电流放大作用。 工作原理：无光照时，暗电流为 IC=（1+?）ICBO； 有光照时，光电流为 IC=（1+?）IL 。 IL为光照时流过集电结的反向电流。 E（-） C（+） 特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强； 传输信号失真小，工作稳定可靠。 4）光电耦合器 功能：由光将输入端的电信号传递到输出端。 工作原理： 输入端加电信号 发光二极管发光 光电三极管受光产生电流输出 + - C E 第5章小结提纲 一、PN结的单向导电性 二、二极管 三、稳压管 四、三极管 正向导通： 反向截止： 结构、伏安特性、主要参数、特点、应用 结构、伏安特性、主要参数、特点、应用 结构、伏安特性、主要参数、特点、应用 六、光电器件 特点、应用 七、集成电路 第5章小结提纲 五、绝缘栅型场效应管 基本结构、工作原理、特性曲线 特点 * * * * 5.2.3 主要参数 1.最大整流电流 IOM 2.最大反向工作电压URM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。 3. 最大反向电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 1. 理想二极管 U 0，VD导通；UD=0，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关 E VD I UD E I U U ?0，VD截止；I=0， UD（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关 E VD I反 UD E I反 U 5.2.4 应用举例 2.二极管的应用 电路如图示