3.3kv fsrd复合结终端结构的研究 word格式.docxVIP

摘要论文题目: 3.3kVFSRD 复合结终端结构的研究学科名称:集成电路工程他骂费研究生:李丹签名:在扑指导教师:王彩琳教授王富珍教授级高工签名:去白;摘要高压快速软恢复二极管 (FSRD)广泛应用于电力电子领域，作为续流二极管与主开关 器件制成模块，已成为现代电力电子装置中的关键器件，有着巨大的市场需求量。FSRD 的耐压能力是衡量其发展水平的一个非常重要的标志。为了在高耐压能力、优良的体特性 及简单的制作工艺之间取得折衷，需要对器件终端结构进行合理的设计。本文针对 3.3kV FSRD 器件，提出了 一种沟槽·场限环(T-FLR)复合结终端结构，利用 TSE-TCAD 仿真软件对新终端结构耐压机理及其 击穿特性进行了研究 ，提取了合适的终端 结构参数，并基于工艺模拟结果，提出了工艺实施方案。主要研究内容如下:首先，分析影响击穿电压的因素，讨论了终端区与有源区之间的相互影响，并针对 3.3kV 方形 FSRD 芯片，提出了一种沟槽·场限环复合结终端结构。该结构耐压效率高、 终端尺寸小，漏电流小。设计电阻区及阴极面终端区的掺杂分布，缓解器件电流集中现象 并改善 FSRD 的快软恢复特性。第二，研究了下FLR 新终端结构的耐压机理及特性，并与横向变掺杂CVLD) 终端 结构、传统的场限环 CFLR) 结构进行了比较。沟槽·场限环复合结终端结构击穿电压可 以达到体内平行平面结耐压的 97.4%，比普通场限环击穿电压高出 4.6% ，比VLD 终端结 构高出 3.3%。终端占用面积为门40μm ，比普通场限环小360μm ，比VLD 终端结构小 40μm 。 常温 CT=300K) 漏电流为 0.27mA/cm 2 ，高温T(=420K) 漏电流为 57mA/cm 2 ，均小于 普通场限环的漏电流。 VLD 终端结构高温漏电流小于普通场限环结构。第三，研究了下 FLR 新终端结构的制作工艺。根据结构特点及器件各个区域的设计 参数 ，结合实际工艺方法，提出各个区域不同的单步工艺模拟方案，通过 ISE 进行工艺模 拟验证，得到最优化的单步工艺实施方案。将单步工艺整合起来，得到完整的工艺流程， 然后通过 lSE 进行工艺模拟验证，得到最优化的整体工艺流程。本文的研究结果对高压 FSRD 的开发有一定的参考价值。关键词:功率 二极管;快恢复:软度;结终端:沟槽;场限环本研究得到教育部博士点基金 (20136 门8110004) 项目的资助西安理工大学工程硕士专业学位论文II Abstract Title: RESEARCH ON 3.3kV FSRD COMPOUND JUNCTION TERMINAL STRUCTUREMajor: Integrated Circuit EngineeringName: Dan LISignature:μ认η5upervisor: Prof.Cailin WANGProf.Fuzhen WANGAbstract5ignatu眩W例句:/〉，1Signature: _ltJ伽1P7u7lte.High power fast recove巧!diodes are widely used in power electronic field ，is the keydevice in modern power electronic technology，has a huge market demand . And the ability to withstand voltage is to measure the development level of a very important symbol. Tn order to consider the tradeoff between compressio l1 ability and other characteristics ，need reasonable 011 terminal device structure design.For 3300V FSRD devices，combining with the surface electric field ，current densit)飞 cathode zone structure on the junction tenninal terminal is studied. Compromise considering the contrad iction between the pressure and body characteri stics，design and optim ize theapplicable of the 3300V FSRD termi