X射线多晶体衍射的一些应用 微构分析测试中心.doc

X射线多晶体衍射的一些应用(5) 该题目下的文章录自《近代X射线多晶体衍射—实验技术与数据分析》（马礼敦，化学工业出版社，2004）第11章，这是第5部分。 五、半导体和微电子工业 半导体和微电子工业对当今人类之重要已经老幼皆知。它和传统的各种工业不同，构成其产品的基本单元是十分细小的各种光、电器制造这种微小器件，达到微米级，而且是越小越进，集成电路是最有代表性的。对制造这种微小器件的材料的要求也是越来越高。X射线衍射成为检查和分析这类的各种缺陷、品质的主要工具。如对其缺陷的研究、测定，似还没有可取代的方法。 由于这类微电子器件的尺寸很小，故一般是用薄膜（多层膜）材料制造的。制造各种微电子器件的薄膜，可以是单晶的，多晶的，甚至是非晶的。由于单晶体（如单晶硅片）的表面力场和块体不同，还因空气或其他吸附原子的作用，使表面结构发生重构（改变平行于表面方向的结构）和弛豫（改变垂直于表面方向的结构），因而表面结构和衬底块体的结构是不同的。这一表面层的厚度是不大的，一般只不过几个原子层。对于薄膜材料，常规的X射线衍射技术原则上是可用的，如对于多晶薄膜，同样可以应用晶衍射作物相分析。但是，由于薄膜、表面的厚度是在纳米级，甚至更小，故实际上是二维结构，有些现象非常规理论或技术所能解决，从而发展了一些能对表面和界面衍射解释的理论和能对薄的表面或界面进行分析的X射线分析方法。由于薄膜总是生长在一定的补底上的，它们的成分和晶体结构的确一般是不同的，而薄膜中的原子和衬底的表面原子有着强烈的相互作用，会影响两者原有的晶体结构，其间会对制成的元器件起破坏作用。另一方面，这种相互作用还会对薄膜中晶粒的排列有影响，形成择优取向，这也对薄膜的性能有重大影响。应力，应变和择优取向的测定是微电子工业中一项重要的测试。常用于表面和界面分析的掠入射实验方法。另一种为低角衍射法，也称镜面反射法（speculllllar reflectomery），也成为表征各种多晶、单晶薄膜和多层膜及调制结构的有力工具。它主要用来测定表面和多层膜中各层的厚度和密度，表面和界面的确良粗糙度，??间的扩散层厚度，点陈常数和相对浓度，还可以绘出强度在倒易点周围的二维分布图等。此外，还有漫散射法，也是研究薄膜和多层膜常用的方法。 （一）X射线反射率表征薄膜的结构 Kojima I和Boquan Li利用日本理学公司生产的转靶高分辨X射线衍射仪测定薄膜或多层膜的X射线反射率（r）来研究薄膜或多层膜的结构，主要是测定薄膜的密度（ρ）、厚度（d）、表面的粗糙度（σ）等结构参数。反射率r可用下式定义： （11-5） 式中，I、I0分别为反射和入射X射线强度。Parratt曾对反射率r引入过一具递推公式： （11-6） 式中 （11-7） （11-8） （11-9） 式中，n为折射指数，n=1-δ-iβ （11-10） （11-11） （11-12） 式中，1，2为介质的序号；re是电子的经典半径；N0是阿伏伽得罗常量；Zi、Mi和Xi分别为原子序数，化学式量及比例，f′和f′′是原子散布 射因子。至此，I也即r12是可计算的了。 ，公式（11-6）中包含了结构参数ρ、d和σ。调整这些参数用最小二乘方便计算强度Ical去拟合实验度Iexp，使式（11-13）中之X2最小，即可得ρ，d，σ等参数 （11-13） 拟合的可靠性用R因子判断： （11-14） Kojima等利用这些公式做了下面一些测量。 铂薄膜密度ρ的测量 用0.5mm厚的超光洁的SiO2片作衬底，用分子束外延法涂得5块厚度分别为5nm、10nm、30nm、74nm和105nm的铂薄膜。用两面三刀种方法测薄膜密度，一种是质量法，准确称得衬底在涂膜前后的质量，量得其面积，再用X射线反射率测得薄膜厚度，密度就可算出了。另一种方法是利用全反射临界角θc，因存在关系： 将式（11-11）和式（11-15）联立，即可求得密度。图11-33为这两种方法测得的密度比较。可以认为两者是相等的。还可看出，薄膜的生长温度高，密度就较大。 表面粗糙度σ的测量 在表11-7中，列出了一些用掠入射X