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一种模拟掺杂涨落对亚100nm MOSFET器件 阈值电压波动影响的新方法 A New Method to Simulate Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations in Sub-100nm MOSFET 信息科学技术学院 微电子系 殷俊 摘要 本文提出了一种基于ISE（Integrated Systems Engineering）8.0模拟掺杂涨落对亚100nm MOSFET阈值电压涨落影响的新方法。与以往的方法相比，本方法第一次实现了对沿垂直于沟道表面方向杂质非均匀分布的MOSFET器件阈值电压涨落的模拟，而且不仅考虑了离子数目的涨落，还考虑了离子在沟道中位置的涨落。所得到的结果也更接近于实际情况。准确性与速度有了很大的提高。 我们使用此方法模拟了亚100nm MOSFET器件的阈值电压的平均值VT和均方差VT随栅氧厚度tox、沟道长度Leff和沟道宽度Weff的变化情况，并与其他方法的模拟结果进行了比较。 关键词：掺杂，涨落，MOSFET，非均匀，阈值电压，数值计算 Abstract A new method that