半导体器件基础教学大纲.docVIP

《半导体物理与器件》教学大纲 一、课程基本信息 1、课程代码：ES332 2、课程名称（中/英文）：半导体物理与器件／Semiconductor Physics and Devices 3、学时／学分：63学时/3.5学分 4、先修课程：量子力学（薛定谔方程，电子的量子状态）；统计物理（费米-狄拉克统计，波尔兹曼分布）；固体物理（晶格结构，能带理论）；电路原理（基本的电子电路） 5、面向对象：电子科学与技术、微电子学、应用物理、半导体材料等专业本科生。 6、开课院（系）、教研室：电子工程系 7、教材、教学参考书： 《Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles》，D. A. Neamen，清华出版社，2003 《半导体器件基础》，R. T. Pierret著，黄如等译，电子工业出版社，2004 《半导体物理学》，刘恩科、朱秉升、罗晋生等，西安交通大学出版社，2004 《半导体物理学》，黄昆、谢希德，科学出版社，1958 《量子力学》，曾谨言，科学出版社，1981 《固体物理学》, 谢希德、方俊鑫，上海科学技术出版社，1961 二、课程的性质和任务 本课程是电子科学与技术、微电子学等专业的理论基础课，也是其他相关专业的重要选修课之一。本课程较全面地论述了半导体的一些基本物理概念、现象、物理过程及其规律，并在此基础上选择目前集成电路与系统的核心组成部分，如双极型晶体管（BJT）、金属－半导体场效应晶体管（MESFET）和ＭOS场效应晶体管（MOSFET）等，作为分析讨论的主要对象来介绍半导体器件基础。学习和掌握这些半导体物理和半导体器件的基本理论和分析方法，为学习诸如《集成电路工艺》、《集成电路设计》等后续课程打下基础，也为将来从事微电子学的研究以及现代VLSI与系统设计和制造工作打下坚实的理论基础。 本课程涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三个部分。第一部分介绍基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理等相关知识；第二部分介绍半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分介绍半导体器件物理，主要讨论同质p-n结、金属半导体接触、异质结以及BJT、MOSFET、MESFET等几种核心半导体器件。 本课程要求学生掌握半导体物理和半导体器件的基本概念和基本规律，对于基础理论，要求应用简单的模型定性说明，并能作简单的数学处理。学习过程中，注意提高分析和解决实际问题的能力，并重视理论与实践的结合。本课程涉及的物理概念和基本原理较多，为了加深对它们的理解，在各章节里都给学生留有一些习题或思考题，这些题目有的还是基本内容的补充。也有少量的难度较大的题目，这样的问题有利于扩大知识面和培养独立思考能力。 近年来，半导体学科发展迅速，内容极其丰富，只靠这门63学时的课程是远远不能容纳的。希望能通过本课程的学习，使学生对半导体科学发生兴趣，以便今后进一步深入学习和研究。 三、课程教学内容和基本要求 第一章 半导体物理基础（15） 半导体材料的晶格结构及电子的状态（3） 半导体中的杂质和缺陷（3） 热平衡状态下载流子的浓度问题（3） 非平衡载流子（3） 载流子的输运机制（3） 要求：掌握能带理论以及从能带理论的角度分析半导体的导电机制；熟悉半导体中电子的状态及其运动规律；理解空穴的概念及其基本特征量；熟悉实际半导体中的杂质和缺陷的种类、性质及其作用；掌握并且会计算热平衡状态下载流子的浓度问题、以及非平衡载流子的概念、产生及其随时间的演化规律（寿命问题）；掌握载流子的几种输运机制，如扩散运动、漂移运动以及连续性方程等。 第二章 p-n结（15） 器件制备基础（3） 平衡态p-n结、异质结（3） p-n结的电流－电压特性及击穿效应（3） p-n结电容：势垒电容与扩散电容（3） p-n结二极管（3） 要求：了解半导体器件制备的方法、过程及几个器件制备的实例；理解和熟悉p-n结及其能带图；掌握p-n结的电流—电压特性以及电容—电压特性；熟悉p-n结的三种击穿机理；理解和掌握p-n结二极管的工作原理及其稳态响应的建模等。 第三章 双极型晶体管（BJT）（9） BJT的基础知识，包括基本概念、制备工艺、静电特性及工作原理等（3） BJT的静态特性（3） BJT的动态响应模型（3） 要求：在对p-n结二极管工作原理分析的基础上，学会将此分析进行合理的拓宽，即从单结/两端二极管发展到双结/三端晶体管；掌握双极结型晶体管(BJT)的基本概念、符号的定义、工作原理的定性分析以及关键的关系表达式等。这些基础知识是为后面详细的器件分析作准备的。 第四章 金属—半导体场效应晶体管（MESFET）（9） 金属—半导体接触（3） 结型场效应晶体管J-FET