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只是应用于iPod的GMR效应？－－漫谈2007诺贝尔物理奖 主要内容 信息存储技术的进步 The Nobel Prize in Physics 2007 Fert的原创工作 Grunberg的原创工作 磁电阻效应 Fe，Co，Ni的铁磁性和输运 Fe/Cr多层膜的GMR效应（1） Fe/Cr多层膜的GMR效应（2） 层间反铁磁（AF）耦合 自旋阀（spin valve）－无耦合三明治 隧道磁电阻（Tunneling MR） WHATS HOT IN PHYSICS 如何写入？ HDD的关键－读出磁头 更上一层楼－GMR读出头 终结断电梦魇－MRAM 电子时代－20世纪 电子自旋！ 仅仅是开始－Spintronics 自旋晶体管 程控逻辑元件 Spin torque 半导体自旋电子材料 目标：单电子自旋器件 小结 * 中国科学技术大学物理系 朱 弘 2007年12月1日 一. 2007年诺贝尔物理奖 二. 磁电阻效应及其应用 三. 自旋电子学简介 四. 小结 80’s 90’s early 21th cen. 密度 尺寸 Published online 9 October 2007 | Nature | doi:10.1038/449643a The physics prize inside the iPod－Giant magnetoresistance secures Nobel. for the discovery of Giant Magnetoresistance Peter Grünberg Forschungszentrum Jülich Jülich, Germany Albert Fert Université Paris-Sud; Unité Mixte de Physique CNRS/THALES Orsay, France 极高的磁电阻，4.2 K 引用次数：1751次 三明治结构，室温，1.5 %。引用次数：551次。 层间反铁磁耦合。引用次数：632次。 一. 2007年诺贝尔物理奖 三. 自旋电子学简介 四. 小结 二. 磁电阻效应及其应用 各向异性磁电阻（AMR） 铁磁金属中，电阻率与电流、磁化之间的夹角有关。通常 Ni的合金中AMR较大，室温下约5 ％。缘于自旋轨道作用。 ? j M 正常磁电阻（OMR, NMR） 普遍存在的，磁场对载流子的洛仑兹力引起的，电阻增大的效应。通常非常微弱，特别对薄膜可以忽略。 Magnetic multilayers and giant magnetoresistance : fundamentals and industrial applications, Springer 2000 自发磁化 d能带的交换劈裂是其主要来源。 自旋相关散射 Mott双电流模型 R↑ R↓ 零场、反铁磁耦合下，两极化电流均处于高阻通道。 R↑ R↓ H=0 加磁场后，两Fe层磁化方向趋于一致，某自旋进入低阻通道。 AF耦合的重要性。 R↑ R↓ http://www.fz-juelich.de/iff/e_news_19-12-2006 H≠0 High field Low sensitivity 较厚的NM层取消AF层间耦合；AF层钉扎作用。1%/Oe Stuart S. P. Parkin对GMR的重要贡献。MBE sputtering B. Dieny and S. S. P. Parkin, et al, Phys. Rev. B43 (1991) 403. 100 ? FeMn 150 ? NiFe 150 ? NiFe Si substrate 20 ? Ag Pinning layer Pinned layer Free layer 26 ? Cu 中间绝缘层足够薄（2 nm），电子有机会穿越之。 隧穿几率与初、终态密度有关。能带交换劈裂下，关联于顶、底电极的相对磁化方向。 高磁阻，低磁场。电阻大。 J. S. Moodera and P. LeClair, Nat. Mater. 2 (2003) 707. /nov-dec2006/sw_nov-dec2006_page6.htm Memorable Attractions of Tunnelling Magnetoresista by Simon Mitton D.D. Djayaprawira, et al., 230% room-t